[发明专利]制造单晶片有效
| 申请号： | 201180025407.4 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102906315A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | M·T·比约克;H·E·里埃尔;H·施米特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C30B11/10 | 分类号： | C30B11/10;C30B11/12;C30B13/18;C30B15/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶片 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体材料的单晶片（11）的方法，包括：提供至少两个孔元件（1、2），在所述至少两个孔元件（1、2）之间形成间隙（3）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的所述间隙（3）中提供包含所述半导体材料的熔融合金（4）；在所述熔融合金（4）附近提供包含所述半导体材料的气态前体介质（5）；在所述熔融合金（4）附近提供成核晶体（6）；以及使所述成核晶体（6）与所述熔融合金（4）接触。
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