[发明专利]宏晶体管器件有效
申请号: | 201180074850.0 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN103946979A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | S·许沃宁;J·B·里兹克;F·欧马奥尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了宏晶体管结构。在某些情况下,所述宏晶体管结构具有类似于长沟道晶体管的相同数量的端子和特性,但是适合于深亚微米技术深亚微米工艺节点下的模拟电路。例如利用串联构造和布置的多个晶体管并且其中它们的栅极连结在一起能够实施宏晶体管结构,本文中通常被称为晶体管堆叠。利用多个并联的晶体管能够实施所述堆叠内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管和/或所述堆叠内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管能够具有不同于所述堆叠中的其它晶体管的所述阈值电压的阈值电压。或者,能够静态地或动态地控制所述宏晶体管内的所述串联的晶体管中的一个或多个晶体管以调谐所述宏晶体管的性能特征。所述宏晶体管结构能够用于诸如变容管、VCO、PLL、以及可调谐的电路之类的许多电路中。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,包括:多个晶体管,所述多个晶体管中的每一个晶体管都具有源极、漏极和栅极,所述晶体管串联电连接并且所述晶体管的相应的栅极连结在一起,其中,所述晶体管中的至少一个晶体管将退化提供至其它晶体管中的至少一个晶体管。
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- 彭虎 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-01-25 - 2011-07-27 - H01L27/00
- 本发明公开了一种集成电路上的金属薄膜电阻,集成电路上还包括有金属电容,金属电容包括下层电极、中间层的介质层和上层电极,金属薄膜电阻包括两个相互分离的端部电极,端部电极的材料与金属电容的上层电极相同,端部电极上面铺有经过光刻和刻蚀的电阻层,电阻层上铺有隔离层,端部电极向上通过通孔被引出。本发明还公开了一种上述金属薄膜电阻的制作方法,在制作集成电路上金属电容的上层电极的同时制作本发明金属薄膜电阻的端部电极。本发明将集成电路上金属薄膜电阻的制作过程与金属电容的制作过程结合在一起,在金属电容的制作过程中加入一次光刻和刻蚀完成金属薄膜电阻制作,简化了工艺过程,提高了生产效率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的