[发明专利]半导体集成电路及其操作方法

摘要

本公开涉及半导体集成电路及其操作方法。特别地，本发明涉及精确设置集成在半导体集成电路内的滤波器的频率特性。半导体集成电路包括滤波器电路，截止频率校准电路和Q因子校准电路。截止频率校准电路通过调整滤波器电路的电容组件，将滤波器电路的截止频率调整为所希望的值。在由截止频率校准电路调整滤波器电路的截止频率之后，Q因子校准电路通过调整滤波器电路的电阻组件，将滤波器电路的Q因子调整为所希望的值。

主权项

一种半导体集成电路，包括：滤波器电路；截止频率校准电路，其向所述滤波器电路给出截止频率调整结果作为用于调整所述滤波器电路的截止频率的信号；和Q因子校准电路，其基于所述滤波器电路的输出，向所述滤波器电路给出Q因子调整信号作为用于调整所述滤波器电路的Q因子的信号，其中所述截止频率校准电路可以通过调整所述滤波器电路的电容组件，将所述滤波器电路的截止频率调整为所希望的值，并且其中，在所述截止频率校准电路调整所述滤波器电路的截止频率之后，所述Q因子校准电路可以通过调整所述滤波器电路的电阻组件，将所述滤波器电路的Q因子调整为所希望的值，其中所述滤波器电路是低通滤波器，其输出为从输入信号中截去比预定频率高的频率分量的结果的信号，并且其中所述截止频率校准电路通过使用所述低通滤波器的电容组件的充电和放电中的至少任意一个的时间积分，检测所述电容组件的误差，并且基于该误差的检测结果能够补偿所述电容组件的误差，其中所述Q因子校准电路包括参考电压产生器、振幅比较器以及控制寄存器，其中所述参考电压产生器产生用于确定所述低通滤波器的输出端子的输出信号的振幅的参考电压；其中所述振幅比较器比较由所述参考电压产生器产生的参考电压和所述低通滤波器的输出信号的振幅，其中所述控制寄存器存储用于调整所述低通滤波器的电阻组件的Q因子控制信息，其中在所述振幅比较器确定所述低通滤波器的输出信号的振幅大于由所述参考电压产生器产生的参考电压的情况下，改变所述Q因子控制信息的值，以便减小所述低通滤波器的输出信号的振幅，并且其中在所述振幅比较器确定所述低通滤波器的输出信号的振幅小于由所述参考电压产生器产生的参考电压的情况下，改变所述Q因子控制信息的值，以便增加所述低通滤波器的输出信号的振幅，其中所述Q因子校准电路产生在比所希望值的所述低通滤波器的截止频率的周期充分长的时间段内设置为预定电压电平的调整输入信号，并且将所述调整输入信号提供给所述低通滤波器的输入端子，并且其中所述低通滤波器基本上直流地响应于所述调整输入信号，并且所述Q因子校准电路可以利用所述调整输入信号中的电压改变消除所述低通滤波器的直流增益的波动，使得在所述低通滤波器的输出端子处产生的直流响应输出信号的电压匹配预定的参考电平。