[发明专利]一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法有效
| 申请号： | 201210545918.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103866377A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;闫志瑞;梁开金;黄龙辉;李明飞;刘志伟;付斌 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法，该气掺系统装置包括磷烷气体管道、氩气管道、入炉气体管道、排空管道，该四路管道分别通过VCO接口连接至一桥形管路上，其中，磷烷气体管道和氩气管道连接在该桥形管路的一端，入炉气体管道和排空管道连接在该桥形管路的另一端；磷烷气体管道、氩气管道和入炉气体管道上分别安装有质量流量计，排空管道上安装有压力控制计。采用该气掺系统装置进行气相掺杂，在区熔法生长单晶硅的熔球阶段，磷烷气体与氩气在桥形管路内混合后进入入炉气体管道，熔球阶段结束后，进行引晶、放肩、等径、收尾，通过改变注入区熔炉的磷烷气体的剂量，可以获得电阻率范围在0.1～2000Ω·cm的区熔硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 范围 电阻率 区熔硅单晶 系统 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置，其特征在于，包括磷烷气体管道、氩气管道、入炉气体管道、排空管道，该四路管道分别通过O型圈面密封接口连接至一桥形管路上，其中，磷烷气体管道和氩气管道连接在该桥形管路的一端，入炉气体管道和排空管道连接在该桥形管路的另一端；磷烷气体管道、氩气管道和入炉气体管道上分别安装有质量流量计，排空管道上安装有压力控制计。
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