[发明专利]光学信息存储介质有效
| 申请号： | 201280038830.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103765513B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | K·D·桑热;C·赖安;J·山;J·洛特;C·韦德;B·威莱;E·贝尔 | 申请（专利权）人： | 凯斯西储大学 |
| 主分类号： | G11B7/004 | 分类号： | G11B7/004;G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国，*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光学信息存储介质包括多层膜，所述多层膜包括多个挤出的交替的活性数据储存层和分开所述活性数据储存层的缓冲层。所述活性数据储存层和缓冲层的厚度允许所述活性数据储存层可通过永久性或可逆的一光子或多光子、线性、非线性或阈值光学写入方法写入，以在所述活性数据储存层中限定可通过光学读取设备读取的数据体元。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 信息 存储 介质 | ||
【主权项】：
包括多层聚合物膜的光学信息存储介质，所述多层聚合物膜包括多个共挤出的交替的聚合物活性数据储存层和分开所述活性数据储存层的聚合物缓冲层，所述活性数据储存层包括当通过一光子非线性或阈值光学写入方法写入时经历永久性光引起的荧光强度的局部非线性或阈值改变的荧光染料，激发在荧光染料的吸收带内，所述活性数据储存层和缓冲层的厚度允许所述活性数据储存层可通过所述一光子非线性或阈值光学写入方法写入，以在可通过光学读取设备读取的离散活性数据储存层中允许至少一个数据体元可写入。
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- 专利分类
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
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