[发明专利]闪存系统无效
| 申请号： | 201280057055.5 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103946923A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 金镇祺 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 公开了用于控制MBC配置的闪存装置以在SBC存储模式或少于完全MBC存储模式容量的部分MBC存储模式中存储数据的方法和系统。在完全MBC存储模式中，数据页从存储器单元的每个物理行的第一页到第N页被连续地编程，其中N是可存储在物理行中的页的总数。存储器单元的每物理行多达N个虚拟页地址相应于待编程的每页用于指定物理行中的页的虚拟位置。对于SBC或部分MBC数据存储，闪存控制器针对每个物理行使用少于最多N个虚拟页地址将编程命令发出到MBC存储器装置。MBC存储器装置连续地执行编程操作一直到物理行的最后接收的虚拟页地址。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 系统 | ||
【主权项】：
一种用于对配置成每物理行存储多达N个数据页的每单元多位(MBC)闪存装置编程的方法，N是大于1的整数，所述方法包括：发出一组编程命令，所述一组编程命令用于将多个数据页编程到所述闪存装置的具有至少一个物理行的子段，所述一组编程命令被限制为对从与所述至少一个物理行中的每个对应的所有可能的逻辑页地址中选择的逻辑页地址子集寻址；以及响应于在所述编程命令中的所述逻辑页地址子集来将少于N个页编程到所述闪存装置的所述至少一个物理行中的每个。
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