[发明专利]应力降低装置有效
| 申请号： | 201310004946.0 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103681587B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 庄曜群;徐语晨;刘浩君;庄其达;郭正铮;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 应力降低装置。一种结构包括在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 降低 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：多个连接件，形成在第一半导体管芯的顶面上；第二半导体管芯，形成在所述第一半导体管芯上并且通过所述多个连接件与所述第一半导体管芯连接；第一伪导电平面，形成在所述第一半导体管芯的第一边缘和所述多个连接件之间，并且，所述第一伪导电平面的外缘与所述第一半导体管芯的第一边缘对齐，其中所述第一伪导电平面的外缘与第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中所述第一角度小于或者等于45度；以及第二伪导电平面，形成在所述多个连接件和所述第一半导体管芯的第二边缘之间，并且所述第二伪导电平面的外缘与所述第一半导体管芯的第二边缘对齐。
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