[发明专利]半导体材料、包括其的晶体管和包括晶体管的电子装置有效
| 申请号： | 201310633699.0 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103855194B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 金兑相;金善载;金炫奭;柳明官;朴晙晳;徐锡俊;宣钟白;孙暻锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王占杰,戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 包括 晶体管 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体材料，所述半导体材料包括锌、氟、氧和氮，其中，半导体材料中的氟与氮、氧和氟之和的含量比等于或大于3at％。
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- 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
- 氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法-201710538259.5
- 林振国;谢志强;李建;任思雨;苏君海;李建华 - 信利（惠州）智能显示有限公司
- 2017-07-04 - 2017-12-29 - H01L29/24
- 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜，所述氧化物半导体薄膜的成分为In4‑4x‑4yM4xN3yO6‑z，其中，In为铟元素，O为氧元素；M成分由元素周期表中的III B族元素中的一种或多种元素组成，用于抑制由氧空位导致的载流子浓度；N成分由Zr、Si、Hf中的一种或多种元素组成，用于增加因掺杂而引入的载流子浓度；氧化物半导体薄膜的厚度为5nm至100nm，0.02≤x≤0.2，0.05≤y≤0.2，0≤z<6。本发明还提供了一种采用该氧化物半导体薄膜作为有源层的薄膜晶体管及其制备方法。实施本发明提供的技术方案，可提高器件的迁移率、稳定性、抗酸刻蚀性和关断性能。
- 一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法-201510507491.3
- 梁琳;舒玉雄 - 华中科技大学
- 2015-08-18 - 2017-12-12 - H01L29/24
- 本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法，包括以下步骤以碳化硅作为N+衬底，在其上依次外延生长掺磷的N基区、掺铝的P基区以及掺硼的重掺杂P+区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两种基于碳化硅的半导体断路开关；通过本发明提供的制备方法所制得的半导体断路开关，其泵浦、关断和开关特征之间具有更大的折衷空间，在降低高重频条件下的散热要求同时提高高温条件下的可靠性。
- 一种p型导电薄膜NbxW1‑xS2及制备方法-201510295314.3
- 冯丽萍;李大鹏;杜志楠;张晓东;张兴元;刘正堂 - 西北工业大学
- 2015-06-02 - 2017-12-08 - H01L29/24
- 本发明涉及一种p型导电薄膜NbxW1‑xS2及制备方法，在WS2中掺入Nb元素，受主掺杂即形成p型半导体。Nb掺入WS2中可以适当减小WS2的带隙值，有利于提高电子的迁移率。因而，Nb掺入WS2中可形成一种p型导电薄膜NbxW1‑xS2，同时薄膜的内应力较小，并可获得较高的霍尔迁移率。本发明方法制备时先采用射频磁控溅射方法在Si衬底上沉积NbxW1‑xO2薄膜，然后对NbxW1‑xO2薄膜进行硫化，生成NbxW1‑xS2薄膜后进行原位退火。本发明制备的p型导电薄膜NbxW1‑xS2，不仅内应力较小，并且具有较高的霍尔迁移率，可用于p型场效应晶体管的沟道材料。
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