[发明专利]集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分选方法有效
申请号: | 201410182557.1 | 申请日: | 2014-05-04 |
公开(公告)号: | CN103969942B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 陈小雪;王红锋;彭超 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;H01L33/00 |
代理公司: | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人: | 黄子平 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种集成式光刻板制作方法及制得L E D芯片的分选方法。其中集成式光刻板制作方法,包括以下步骤1)在集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线,将光刻板划分成四个象限,并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标,形成坐标系;2)在任一象限中以坐标系的零点为基准,向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域;3)在四个象限内,连续设置多个与标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域,且每个对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同,从而得到集成式光刻板。该方法通过设计集成式光刻板上晶粒的图形和规格,从而将L E D芯片的晶粒快速分开。 | ||
搜索关键词: | 集成 刻板 制作方法 及其 led 芯片 晶粒 分选 方法 | ||
【主权项】:
一种集成式光刻板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在所述集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线,将光刻板划分成四个象限,并将所述两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标,形成坐标系;2)在任一所述象限中以所述坐标系的零点为基准,向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域;3)在四个象限内,连续设置多个与所述标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域,且每个所述对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与所述标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同,从而得到所述集成式光刻板;所述标准单元区域中包括A粒×B粒所述晶粒模板,所述A≥1,所述B≥1且所述A和所述B不能同时为1;所述标准单元区域中各所述晶粒模板的图形和规格彼此不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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