[实用新型]硅基光调制器有效
| 申请号： | 201420660354.4 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN204155033U | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 226009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区包括形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区；第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本实用新型的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结，可以增加模场中耗尽区的面积，从而提高硅基光调制器的调制效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光 调制器 | ||
【主权项】：
一种硅基光调制器，其特征在于，所述硅基调制器至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区包括纵向第一轻掺杂区和至少一个横向第一轻掺杂区，所述纵向第一轻掺杂区形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向，所述横向第一轻掺杂区形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交；所述第二轻掺杂区和所述第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于所述第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与所述第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。
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- 王爽;刘克;张成龙 - 北京工业大学
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- 一种基于耦合调制的矩形环谐振腔高速电光调制器，由单模光波导构成封闭的长宽比为73的长矩形，一条直条单模波导垂直穿过单模光波导的两长矩形长边，直条单模波导的一侧为正方形，另一侧为短矩形；单模光波导一侧的正方形三条边为谐振腔，单模光波导另一侧的短矩形三条边为相移臂；单模光波导之间的直条单模波导部分为参考臂；单模光波导长矩形外侧的两直条单模波导中，一边为输入波导，另一边为输出波导；在长矩形的单模光波导的直角外侧，沿波导传播方向呈45°角方向刻蚀有切面，构成全反射镜；单模光波导与直条单模波导交叉处，刻蚀有与单模光波导另一侧的短矩形上的全反射镜平行的微纳沟槽。
- 光调变器-201610201820.6
- 庄朝炫;谢建成 - 源杰科技股份有限公司
- 2016-04-01 - 2017-10-24 - G02F1/025
- 一种光调变器，包含基材、第一半导体结构、第二半导体结构以及介电结构。基材具有主要表面以及实质上垂直主要表面的第一方向。第一半导体结构具有第一导电类型，且位于主要表面上。第二半导体结构具有第二导电类型，且位于主要表面上，其中第一半导体结构与第二半导体结构在第一方向上不重叠。介电结构位于主要表面上，并从主要表面沿第一方向向上延伸，且介电结构夹置在第一半导体结构以及第二半导体结构之间。此光调变器能够将光线限制在主动区域内传递，而得到性能更好的光调变器。
- 一种电光开关或光衰减器-201210016037.4
- 李冰;王晓黎;陈彦青;张宗锁 - 上海硅通半导体技术有限公司
- 2012-01-17 - 2017-09-08 - G02F1/025
- 本发明公开了一种电光开关或光衰减器，包括一个由并行的第一波导臂和第二波导臂构成的MZI结构，所述第一波导臂和第二波导臂均包括一个波导电容器结构。所述第一波导臂外接第一电信号源，所述第二波导臂外接第二电信号源。在外接电信号源作用下，所述第一波导臂的脊波导的本征区有较大量载流子注入，而所述第二波导臂的脊波导的本征区无注入载流子或较少量载流子注入；所接电信号源同时在两个波导臂引起温度变化，在所述第二波导臂所引起的温度变化和第一波导臂相同或无限接近。本发明公开的电光开关或光衰减器能减小由于两条波导臂温度差异所引起的热效应下折射率的变化差异，提高器件效率。
- 硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器-201710183623.0
- 裴丽;白冰;王吉;张艳;徐春霞 - 北京交通大学
- 2017-03-24 - 2017-07-21 - G02F1/025
- 硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。正电极7和负电极8周期性排列至基底表面两端，主硅波导4覆于SiO2平板基底1之上靠中间位置，表面硅波导5同样置于SiO2平板基底1之上，一端连接导光硅波导4，另一端连接负电极8。Al2O3层2覆于导光硅波导4、连接硅波导5和SiO2平板基底1表面之上。石墨烯栅层6覆于导光硅波导4和无连接硅波导5这一侧的Al2O3层2上直到连至正电极7。铂层3覆于石墨烯栅层6之上，且一端连接至正电极7，另一端离导光硅波导4的距离大于500nm。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，分别向正电极阵列7的各单元正电极与负电极阵列8两端施加空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制，施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意信号的快速调制。
- 半导体光波导、半导体光调制器以及半导体光调制系统-201610875466.5
- 阪本真一;石仓德洋 - 株式会社藤仓
- 2016-09-30 - 2017-06-20 - G02F1/025
- 本发明提供一种半导体光波导、半导体光调制器以及半导体光调制系统。将肋板型的芯线(11)的肋(12)分为p型半导体区域(12a)和n型半导体区域(12b)的边界面(12S)由成为第一横向pn结(J1)的接合面的第一平面(S1)、成为纵向pn结(J2)的接合面的第二平面(S2)、以及成为第二横向pn结(J3)的接合面的第三平面(S3)形成。
- 包括石墨烯的光学调制器-201210397252.3
- 赵成豪;郑现钟 - 三星电子株式会社
- 2012-10-18 - 2017-04-12 - G02F1/025
- 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器，该光学调制器包括第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上；第一电极，在第一石墨烯上；以及第二电极，在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导，且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。
- 专利分类
