[发明专利]用于通过多个通道来控制半导体存储器件的存储系统有效

专利信息
申请号: 201510993931.0 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN106325765B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 赵圣烨 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F13/16;G11C16/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储系统,包括:多个通道;多个半导体存储器件,连接到通道;以及控制器,经由通道来控制半导体存储器件,其中,该控制器将程序数据写入到所述多个半导体存储器件的第一半导体存储器件中,以及其中,在所述程序数据的写入失败时,程序数据被暂时储存在所述多个半导体存储器件的第二半导体存储器件的页缓冲单元中,第二半导体存储器件连接到除与第一半导体存储器件相对应的通道之外的通道。
搜索关键词: 用于 通过 通道 控制 半导体 存储 器件 存储系统
【主权项】:
一种存储系统,包括:多个通道;连接到通道的多个半导体存储器件;以及控制器,经由所述通道来控制半导体存储器件,其中,控制器将程序数据写入到所述多个半导体存储器件的第一半导体存储器件中,以及其中,在所述程序数据的写入失败时,所述程序数据被暂时储存在所述多个半导体存储器件的第二半导体存储器件的页缓冲单元中,第二半导体存储器件连接到除与第一半导体存储器件相对应的通道之外的通道。
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