[实用新型]功率NPN型晶体管有效
申请号: | 201520177374.0 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN204538032U | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 崔峰敏 | 申请(专利权)人: | 傲迪特半导体(南京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/06 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人: | 樊文红 |
地址: | 210034 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 功率NPN型晶体管,在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内,设有高掺杂P型硅的基区,基区上设有高掺杂N型硅的发射区,所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成,横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置,基区和所述发射区间隔分布,呈叉指状;每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔,发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极;在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔,基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极;基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。本实用新型的版图,采用横排和竖排叉指状的发射区分布,不仅开关速度快,分布限流效果好。 | ||
搜索关键词: | 功率 npn 晶体管 | ||
【主权项】:
功率NPN型晶体管,在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内,设有高掺杂P型硅的基区,基区上设有高掺杂N型硅的发射区,其特征是,所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成,所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置,所述基区和所述发射区间隔分布,呈叉指状;每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔,发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极;在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔,基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极;基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。
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- 2018-01-12 - 2018-11-30 - H01L29/73
- 本实用新型提供了一种场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路,所述场效应二极管包括:绝缘层;位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和第一正电极;与所述沟道层相接触的负电极和第二正电极,所述第二正电极与第一正电极电连接;其中所述负电极和第一正电极之间具有错排区域。本实用新型的场效应二极管中的错排区域能够吸收电压降。
- 双极晶体管器件及其制造方法-201510101368.1
- 约翰内斯·J·T·M·唐克尔;维特·桑迪·恩;托尼·范胡克;埃弗利娜·格里德莱特;安可·赫琳哈;迪克·克拉森 - 恩智浦有限公司
- 2015-03-06 - 2018-11-27 - H01L29/73
- 本公开涉及双极晶体管器件和制造所述双极晶体管器件的方法。所述器件包括场板,所述场板位于与所述有源区域的基极‑集电极结相邻的隔离区域中。所述隔离区域包括栅极端子,所述栅极端子被布置为独立于所述晶体管的集电极、基极或发射极端子进行偏压。
- 替位式掺杂原子尺度三极管-201710298592.3
- 不公告发明人 - 邵诗婷
- 2017-04-27 - 2018-11-13 - H01L29/73
- 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度三极管、制备方法和应用领域。该原子尺度三极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上,采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素,形成大小为原子尺度的三极管,可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。
- 一种电源整流用塑封功率三极管-201820286340.9
- 杨洪文;周勇;王兴超;陈景善;高思恩;陈令恭;林延峰 - 山东沂光集成电路有限公司
- 2018-03-01 - 2018-11-13 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种电源整流用塑封功率三极管,包括壳体,所述壳体的一端设置三个接线丝,所述壳体的端部外侧设置有防护套,所述防护套的端部内侧表面设置有限制滑块,所述壳体的两侧表面与限制滑块的卡合连接处设置有限制滑槽,在本实用新型中的壳体外侧增加了可以水平滑动的防护套,防护套通过限制滑块卡合在限制滑槽内,当运输携带时,可滑动防护套,将防护套水平向接线丝的一端滑动,直到限制滑块滑动到限制滑槽的另一端,此时,卡块通过弹簧从伸缩槽内伸出,并卡进卡槽内,防护套将接线丝包裹住,防止接线丝在携带和运输的过程中折断的情况,使用时,拨动拨杆,使得卡块从卡槽内退出,防护套退回即可,使用更加的方便。
- 双极晶体管以及制造双极晶体管的方法-201410331664.6
- J·康拉斯;H-J·舒尔策 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2014-07-11 - 2018-10-09 - H01L29/73
- 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构,该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外,发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外,基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外,集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区,或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。
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