[发明专利]多重密封环结构有效
| 申请号： | 201610069848.9 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105702666B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 密封 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n基板，具有密封环区域和电路区域；/n围绕所述电路区域呈封闭环的第一密封环结构，位于所述密封环区域上方，具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，其中，第一密封环结构的外部部分(210a)和第一密封环结构的内部部分(210b)构成间隔设置的双层环结构；/n围绕所述电路区域呈封闭环的第二密封环结构，位于所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构，具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，其中，第二密封环结构的外部部分(220a)和第二密封环结构的内部部分(220b)构成间隔设置的双层环结构，每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都由围绕所述电路区域布置的金属层以及分布在介电层(216)中的通孔层(214)堆叠组成；/n第一钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方；和/n三角形内部密封环结构(230)，位于第二密封环结构的内部部分(220b)和第一密封环结构的外部部分(210a)之间，并且所述第一密封环结构和所述第二密封环结构分别位于所述三角形内部密封环结构(230)的内侧和外侧，所述三角形内部密封环结构(230)与所述第一密封环结构的外部部分(210a)一起构成围绕所述第一密封环结构的内部部分(210b)的封闭环，其中，所述第一密封环结构具有与所述第二密封环结构的直角边和所述三角形内部密封环结构的斜边平行的线性部分；/n其中，所述第二密封环结构临近划线，并且所述划线与所述第二密封环结构之间的区域完全被所述介电层填充。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610069848.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种静电放电防护装置
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 多重密封环结构-201610069848.9
- 杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2011-08-10 - 2020-01-10 - H01L23/58
- 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。
- 一种毫米波天线与硅基组件三维集成封装-201711413356.8
- 沈国策;周骏 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2017-12-24 - 2020-01-03 - H01L23/58
- 本发明公开了一种基于毫米波天线与硅基多通道组件三维集成封装，包括顶层辐射的微带贴片天线阵列、带有TSV馈电结构的高电阻率硅基板、具有微波走线和数字走线的介质布线层、带有TSV三维垂直传输结构的围框以及带有TSV传输结构的气密性封装盖板。本发明同时将微带贴片天线阵列、微波芯片、数字芯片和无源器件通过MEMS工艺集成在同一模块内，围框的中间部分带有微波信号垂直传输的TSV结构，集成度较高，微波性能优良，可实现组件多功能化和小型化。
- 反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法-201510472425.7
- 郑龙善 - 爱思开海力士有限公司
- 2015-08-04 - 2019-12-24 - H01L23/58
- 公开了一种反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法。反熔丝阵列包括：有源区，形成在半导体衬底中；狭缝区，形成在有源区的在第一方向上的两个边缘部分；多个选择栅极，在与有源区的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到选择字线；多个第一编程栅极，与选择栅极间隔开，形成在由狭缝区隔离的有源区之上，并耦接到第一编程字线；多个第二编程栅极，与选择栅极间隔开，形成在由狭缝区隔离的有源区之上，并耦接到第二编程字线；以及位线，垂直于选择字线。
- 用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构-201920404555.0
- 王晓丽;于凯 - 西安中车永电电气有限公司
- 2019-03-28 - 2019-12-20 - H01L23/58
- 本实用新型属于IGBT模块封装制造技术领域，涉及用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构，包括：结构本体、设置于所述结构本体上的子单元放置区，所述结构本体的侧边设置有可移动的定位装置；通过增加可移动的定位装置的设计，在子单元焊接完成后，当拿取子单元时若出现子单元与结构本体卡紧现象，可以将定位装置外移，从而增大子单元与结构本体的间隙，进而有效地避免子单元出现破损的现象，大大提高IGBT模块的封装合格率，降低IGBT模块的封装成本。
- 专利分类
