[发明专利]一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610107438.9 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105714379B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;张燕;王闯堂;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B23/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm2至4.0J/cm2、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33％提高到了50％，材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钇铁石榴石薄膜 薄膜沉积 稀土掺杂 直接生长 高掺杂 制备 磁性氧化物 磁光性能 激光能量 生长过程 生长 法拉第 波长 光通信 硅基 旋光 薄膜 气压 | ||
【主权项】：
1.一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1：采用脉冲激光沉积PLD技术和快速退火技术，在硅基底上首先沉积一层30至60纳米的YIG薄膜，并且经快速退火得到结晶的YIG薄膜作为籽晶层；步骤2：将步骤1制得的多晶YIG薄膜放入真空腔内，控制沉积气压为1‑10mTorr，升温至400℃到650℃后，沉积Ce:YIG薄膜，脉冲激光沉积时能量密度为大于2.5J/cm2小于等于3.2J/cm2。
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