[发明专利]应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法有效
| 申请号： | 201610366975.5 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105807598B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郑国兴;李子乐;吴伟标;吕良宇;王宇;刘国根 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G03H1/16 | 分类号： | G03H1/16;G03H1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 胡艳 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法，利用硅纳米砖的磁共振效应，实现特定波长的高效反射；通过设计不同大小的硅纳米砖，使其分别对红、绿、蓝三基色光实现窄带响应；利用硅纳米砖的朝向角对入射光位相进行精密调节，实现位相型傅里叶彩色全息。本发明工艺简单，可广泛用于真彩色显示、信息存储、防伪等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 傅里叶 彩色 全息 纳米 阵列 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构，其特征是：由第一硅纳米砖单元列、第二硅纳米砖单元列和第三硅纳米砖单元列交替排列构成，第一硅纳米砖单元列、第二硅纳米砖单元列、第三硅纳米砖单元列分别由相等数量的第一硅纳米砖单元、第二硅纳米砖单元、第三硅纳米砖单元排列构成；第一硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的第一硅纳米砖构成，第二硅纳米砖单元包括介质基底和介质基底上刻蚀的第二硅纳米砖，第三硅纳米砖单元包括介质基底和介质基底上刻蚀的第三硅纳米砖；第一硅纳米砖单元、第二硅纳米砖单元、第三硅纳米砖单元的几何尺寸均为亚波长尺度，分别对红光、绿光、蓝光窄带响应；利用第一硅纳米砖、第二硅纳米砖、第三硅纳米砖的磁共振或电共振，来分别实现对红光、绿光、蓝光的窄带响应反射；介质基底为长方体形，其工作面及工作面的相对面为正方形，第一硅纳米砖单元、第二硅纳米砖单元、第三硅纳米砖单元中介质基底几何尺寸相同；第一硅纳米砖、第二硅纳米砖、第三硅纳米砖为具有不同几何尺寸的长方体形；介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的中心点的连线垂直于介质基底工作面；第一硅纳米砖、第二硅纳米砖、第三硅纳米砖的朝向角分别为全息片中第一硅纳米砖、第二硅纳米砖、第三硅纳米砖所对应像素点的位相的一半。
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