[发明专利]一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法，包括衬底和P型GaN薄膜层，所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面，所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列，所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳米线与P型GaN薄膜层之间形成有同质PN结。该方法包括通过旋涂玻璃液实现纳米线间隙填充绝缘，实现电注入；蒸镀透明导电层来扩展电流，实现纳米线阵列互联；并在所述P型GaN薄膜层上设有P型欧姆电极，在所述透明导电层上设有N型欧姆电极，制成纳米线阵列紫外探测器。本发明具有成本低、灵敏度高、性能稳定、制作方法简单、便于在实际工作中操作等优点。本发明作为一种紫外探测器及其制作方法可广泛应用于紫外探测技术领域中。

主权项

一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器，包括衬底和P型GaN薄膜层，所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面，其特征在于：所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列，所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳米线与P型GaN薄膜层之间形成有同质PN结；所述P型GaN薄膜层上制有第一窗口和设置在第一窗口四周边沿上的第二窗口，所述第一窗口上镀有催化剂，所述第二窗口上镀有钝化层；所述N型GaN纳米线阵列生长在所述第一窗口上。