[发明专利]在基体的表面形成斜面的方法有效
| 申请号： | 201611029732.9 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108069388B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种在基体的表面形成斜面的方法，利用材料在氧化过程中尺寸的变化，使平面相对于基体的表面发生倾斜，从而形成倾斜角度可控的斜面，并且斜面的平整度较高，很好地解决了现有技术存在的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 表面形成 氧化过程 可控的 平整度 申请 | ||
【主权项】：
1.一种在基体的表面形成斜面的方法，所述斜面相对于所述基体的表面倾斜，其特征在于，该方法包括：在所述基体的表面形成第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱的组成材料不同于所述第二支撑柱的组成材料；在所述基体的表面形成围绕所述第一支撑柱和所述第二支撑柱的牺牲层，所述第一支撑柱从所述牺牲层的上表面露出，其中,所述第一支撑柱的上表面高于所述牺牲层的上表面或者所述第一支撑柱的高度与所述牺牲层的高度相等；在所述牺牲层的上表面和所述第一支撑柱的上表面依次形成缓冲层和斜面层区域，所述第一支撑柱和所述第二支撑柱位于所述斜面层区域的下方；在所述斜面层区域的外部形成贯穿所述缓冲层的释放通孔，并通过所述释放通孔去除所述斜面层区域下方的所有所述牺牲层，以由所述第一支撑柱和所述第二支撑柱支撑所述斜面层区域及所述斜面层区域下方的所述缓冲层；以及对第二支撑柱进行氧化处理，以改变所述第二支撑柱的高度，从而使所述斜面层区域相对于所述基体的表面发生倾斜，其中，所述斜面层区域的上表面形成所述斜面。
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