[发明专利]芯片、可选模式缓冲电路及其模式选择方法有效
申请号: | 201611178265.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN107800421B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 陈俊宏 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H02M3/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 芯片、可选模式缓冲电路及其模式选择方法。可选模式缓冲电路包括多个焊垫、模式选择电路以及控制电路。模式选择电路具有多个开关,耦接于焊垫,并且藉由根据模式选择信号,改变至少一个开关的导通或断开状态以执行电荷泵操作或接口操作。控制电路接收模式选择信号,并根据模式选择信号产生多个输入信号以控制开关。 | ||
搜索关键词: | 芯片 可选 模式 缓冲 电路 及其 选择 方法 | ||
【主权项】:
一种可选模式缓冲电路,包括:多个焊垫;模式选择电路,具有多个开关耦接于该多个焊垫,藉由根据模式选择信号,改变至少一个该开关的导通或断开状态,执行电荷泵操作或接口操作;以及控制电路,接收该模式选择信号,并根据该模式选择信号产生多个该输入信号以控制该开关。
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