[发明专利]智能化辐射防护系统有效

专利信息
申请号: 201710644659.4 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107257601B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 周建辉;李爱萍;林爱军 申请(专利权)人: 周建辉
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06;G21G4/02
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)11427 代理人: 陈娟
地址: 266700 山东省青岛市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种智能化中子发射器防护系统,包括液晶显示设备、中子隔离屏、中子发射器和中子浓度检测器,所述中子隔离屏设置在所述中子发射器的周围,用于对所述中子发射器逃逸的中子进行屏蔽,所述中子浓度检测器用于检测所述中子发射器逃逸的中子浓度,所述中子浓度检测器在检测到的所述中子发射器逃逸的中子浓度超限时,发出中子浓度报警信号,所述液晶显示设备与所述中子浓度检测器连接,用于实时显示所述中子发射器逃逸的中子浓度。通过本发明,能够提高对中子发射器的防护能力。
搜索关键词: 智能化 辐射 防护 系统
【主权项】:
一种智能化中子发射器防护系统,包括:中子隔离屏、中子发射器和中子浓度检测器,所述中子隔离屏设置在所述中子发射器的周围,用于对所述中子发射器逃逸的中子进行屏蔽,所述中子浓度检测器用于检测所述中子发射器逃逸的中子浓度;所述中子浓度检测器在检测到的所述中子发射器逃逸的中子浓度超限时,发出中子浓度报警信号;液晶显示设备,与所述中子浓度检测器连接,用于实时显示所述中子发射器逃逸的中子浓度;其中,所述液晶显示设备还用于显示所述中子浓度报警信号;离子源设备,包括灯丝、等离子体室、中间电极、磁场线圈、阳极孔、扩张杯、阳极、冷却管道和进气管,所述灯丝插入所述等离子体室的左端并伸入到所述等离子体室中,以形成所述离子源设备的阴极,所述中间电极内嵌入在所述等离子体室的内壁上,所述磁场线圈设置在所述等离子体室的上下两侧,所述阳极孔、所述扩张杯和所述阳极都内嵌入在所述等离子体室的右端上,所述冷却管道伸入到所述等离子体室的内壁中,所述进气管插入所述等离子体室的左端;离子源供电设备,与所述离子源设备连接,用于为所述离子源设备供电,所述离子源供电设备包括磁场电源、灯丝电源和弧压电源,所述弧压电源用于经过电阻分压后在所述灯丝与所述中间电极之间提供电位差,还用于经过电阻分压后在所述中间电极和所述阳极之间提供电位差,所述灯丝电源与所述灯丝连接,为所述灯丝供电,所述磁场电源与所述磁场线圈连接,为所述磁场线圈供电;所述中子发射器,包括屏蔽罩、中子输出口、冷却管、高压电缆、绝缘环、靶片、多级加速电极和真空泵,所述屏蔽罩用于实现对所述离子源设备、所述多级加速电极、所述靶片、所述绝缘环和所述高压电缆的屏蔽,所述屏蔽罩包括前端屏蔽壳体和后端屏蔽壳体,所述前端屏蔽壳体用于容纳所述离子源设备,所述后端屏蔽壳体耦合所述前端屏蔽壳体,用于容纳所述多级加速电极、所述靶片、所述绝缘环和所述高压电缆,所述中子输出口设置在所述后端屏蔽壳体的上表面,所述真空泵与所述后端屏蔽壳体容纳空间连通,用于将所述后端屏蔽壳体容纳空间抽成真空以形成真空腔体,所述高压电缆插入在所述真空腔体的右端,所述绝缘环设置在所述高压电缆的外部,所述靶片设置在所述多级加速电极和所述高压电缆之间;导向设备,耦合所述中子发射器以向地层发射快中子脉冲,快中子脉冲被导向设备周围的介质减速成为热中子后被地层介质吸收,使得热中子密度逐渐衰减;密度检测设备,设置在导向设备的附近,用于检测热中子密度以作为实时热中子密度输出;地层宏观俘获截面值测量设备,与所述密度检测设备连接,接收所述实时热中子密度,确定所述实时热中子密度减少到1/e所需用的时间以作为衰减时间,并基于所述衰减时间确定地层宏观俘获截面值;流体类型确定设备,与所述地层宏观俘获截面值测量设备连接,用于基于所述地层宏观俘获截面值确定地层孔隙内填充的流体类型并作为目标流体类型输出,所述目标流体类型为油层、气层或者水层;其中,所述离子源供电设备还包括分压电阻,与所述弧压电源连接,用于对所述弧压电源提供的电压进行分压;其中,所述中子隔离屏还与所述中子浓度检测器连接,用于在接收到所述中子浓度报警信号时,自动打开,在未接收到所述中子浓度报警信号时,自动关闭。
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  • 本实用新型涉及一种用于中子管制造的自成靶,该自成靶包括靶基和靶膜,靶基的一端为靶面,靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜,靶基的另一端为中空的腔体,腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托;靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。本实用新型通过在自成靶靶底部设置磁钢,产生的磁场可以改变二次电子的运动方向,减小了二次电子电流,提高了单位有效束流,即提高了中子产额,解决了现有的中子管无法兼顾中子产额、耐温性能和使用寿命的技术问题。
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  • 汪永安;陆杰;白超良;刘洋 - 西安冠能中子探测技术有限公司
  • 2016-05-25 - 2016-12-07 - H05H3/06
  • 本实用新型提供一种微型测井中子管,将阴极的形状设计为外凸形,输出阴极为平面圆盘形,加速系统为圆弧形的单隙加速系统,管壳外径为25mm,所述阳极筒和阴极之间的距离为2mm;所述阳极筒与输出阴极之间的距离为2mm;所述输出阴极的孔径为φ4~φ5mm,所述输出阴极和加速电极之间的距离为12~14mm。可应用在38mm脉冲中子测井仪中,满足了小型化的需求,使得仪器的可靠性和使用寿命得到了保障。
  • 自成靶靶温控制装置-201620480649.2
  • 汪永安;陆杰;白超良;刘洋 - 西安冠能中子探测技术有限公司
  • 2016-05-24 - 2016-11-30 - H05H3/06
  • 本实用新型涉及一种自成靶靶温控制装置,包括连接为一体的外壳体和内壳体;所述外壳体为顶部封闭底部开口的圆筒形结构,所述内壳体为中心对称的台阶形结构,外壳体和内壳体共同围成冷却水储存腔;所述外壳体的顶部中心设置有进水口,外壳体的顶部靠近侧壁处设置有出水口;所述进水口和出水口均与冷却水储存腔连通。本实用新型通过设计合理的冷却水储存腔结构,套装于自成靶上,可以在不影响中子管其他部位温度的情况下,仅对自成靶进行降温处理,保证了靶面上的有用气体不会随着管温的升高而持续放气。
  • 质子窗-201620181517.X
  • 刘磊;聂小军 - 东莞中子科学中心
  • 2016-03-09 - 2016-08-17 - H05H3/06
  • 本申请公开了一种质子窗,包括质子窗体和真空盒,质子窗体包括边框和窗面,窗面设在边框内,窗面和边框一体成型,质子窗体和真空盒对接安装在一起,窗面为凹球面结构,窗面的凹面为废弃粒子入射面。由于窗面为凹球面结构,窗面的凹面为废弃粒子入射面,球面结构极大降低了质子窗的热应力,同时增加了粒子束流接触面积,有利于改善质子窗的热量集中效应,降低了中心点的温度,最终使得质子窗在收集大功率的粒子时不会产生大量的集中热,质子窗散热效果好,不易损坏。
  • 陶瓷头离子源长寿命中子管-201610199542.5
  • 乔双 - 东北师范大学
  • 2016-04-04 - 2016-07-06 - H05H3/06
  • 本发明属于中子源技术领域,具体涉及一种可关断、小型化的长寿命中子管。本发明用陶瓷头取代铜头,在陶瓷头上焊接离子源阴极和金属电极,在金属电极上焊接阳极筒,组装成中子管用陶瓷头离子源。在阳极筒和离子源罩之间填充离子源陶瓷绝缘环,在离子源罩和加速筒之间填充加速间隙陶瓷绝缘环,增加了绝缘强度,降低了封接难度,保证同轴度。大幅度降低放电、击穿几率,易小型化,提高了中子管的产额、寿命、稳定性及脉冲特性,成品率有很大提高,中子管技术参数的一致性好,寿命长,具备了产业化的条件。改进后寿命提高2—3倍,产额提高约3倍,稳定性不大于2%,脉冲上升沿小于2.5us,脉冲下降沿小于0.5us,成品率高于90%。
  • 一种紧凑型D-D中子发生器-201520903910.0
  • 姚泽恩;王俊润;张宇;韦铮;徐大鹏;卢小龙 - 兰州大学
  • 2015-11-13 - 2016-03-30 - H05H3/06
  • 本实用新型公开一种紧凑型D-D中子发生器。本实用新型包括:真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统,其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子,其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接,真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封,所述的离子源为双等离子源,其内通有D气体。本实用新型中子产额可大于1×108s-1量级,并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件,同时大大降低了使用的成本。
  • 一种紧凑型D-D中子发生器-201510775032.3
  • 姚泽恩;王俊润;张宇;韦铮;徐大鹏;卢小龙 - 兰州大学
  • 2015-11-13 - 2016-03-16 - H05H3/06
  • 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D-D发生器。本发明包括:真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统,其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子,其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接,真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封,所述的离子源为双等离子源,其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s-1量级,并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件,同时大大降低了使用的成本。
  • 用于随钻测量的中子发生器-201510834132.9
  • 艾维平;窦修荣;王鹏;贾衡天;毛为民;曹冲;范锦辉;蓝蓉;彭浩 - 中国石油集团钻井工程技术研究院
  • 2015-11-25 - 2016-02-03 - H05H3/06
  • 本申请公开了一种用于随钻测量的中子发生器,包括:由上到下依次布置的上连接头、弹簧减震机构、中子发生器上连接器、半导体制冷装置、中子管;容纳上述部件的保护套筒,其中,半导体制冷装置被设置在中子管的加速电极的外侧,用于对中子管的加速电极进行降温冷却,半导体制冷装置的冷却面和中子管的外壳紧密接触,半导体制冷装置的散热面与保护套筒之间填充有导热硅脂。本发明在基于中子发生器的随钻中子孔隙度测量中,采取有效减震措施,使中子发生器满足随钻要求,通过控制半导体制冷装置,有效解决了中子管过热导致的中子产额不稳定的问题,分时断续控制驱动脉冲方式延长了中子发生器的工作时间。
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