[发明专利]一种环保型半导体晶片在审
申请号: | 201710759421.6 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107482053A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 陶彩英 | 申请(专利权)人: | 太仓天润新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/267 | 分类号: | H01L29/267;H01L29/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种环保型半导体晶片,它包括第一基底层和第二表面层,所述第一基底层中各组分的质量分数为二氧化硅12‑20份、硼元素1.5‑3份、磷元素0.5‑2.5份、砷元素3‑6份,所述第二表面层中各组分的质量分数为三氧化二硅15‑25份、Ⅲ‑V族化合物组成10‑20份。通过上述方式,本发明一种环保型半导体晶片,兼具了硅和砷化镓两者的优良特性,机械强度高,散热性能好,制成的晶片成品率高,有效降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 环保 半导体 晶片 | ||
【主权项】:
一种环保型半导体晶片,其特征在于,它包括第一基底层和第二表面层,所述第一基底层由二氧化硅、硼元素、磷元素、砷元素组成,所述第一基底层中各组分的质量分数为:二氧化硅12‑20份、硼元素1.5‑3份、磷元素0.5‑2.5份、砷元素3‑6份,所述第二表面层由三氧化二硅、Ⅲ ‑V族化合物组成,所述第二表面层中各组分的质量分数为:三氧化二硅15‑25份、Ⅲ ‑V族化合物组成10‑20份。
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