[发明专利]一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法有效

专利信息
申请号: 201710932518.2 申请日: 2017-10-10
公开(公告)号: CN107675247B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 祁阳;谭俊 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/12;C30B29/46;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 俞鲁江
地址: 110169 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法,将石英管拉拔成上粗下细的异形石英管,并在内壁镀膜,外壁安装应变片,通过应变幅度的反馈控制单晶生长速度,预防石英管破损,待晶体形成后将异形石英管倒置,待冷却到室温后,取出闪烁晶体。本发明的优点:装入单晶原料前在异形石英管内壁镀膜,既可避免异形石英管和生成晶体之间的粘连,利于将生成晶体与异形石英管管体完全分离,又可避免石英管直接挤压晶体,有助于减少晶体微观缺陷,降低晶体自吸收概率,降低晶体开裂风险,显著改善了闪烁体内部性能,此外,晶体生长降温完成后,不需要敲碎石英管取出晶体,只需开口倒出晶体即可,石英管清洗后可以循环使用。
搜索关键词: 石英管 异形 单晶制备 破损率 闪烁 镀膜 取出 石英管内壁 单晶生长 单晶原料 反馈控制 晶体生长 晶体形成 闪烁晶体 上粗下细 外壁安装 完全分离 微观缺陷 应变幅度 倒置 碎石英 体内部 应变片 自吸收 粘连 倒出 拉拔 石英 装入 冷却 破损 清洗 挤压 开口 概率 预防
【主权项】:
1.一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法,其特征在于:将石英管拉拔成上粗下细的异形石英管,并在内壁镀膜,外壁安装应变片,通过应变幅度的反馈控制单晶生长速度,预防石英管破损,待晶体形成后将异形石英管倒置,取出闪烁晶体,具体步骤如下:(1)石英管拉拔选择没有缺陷,内壁光滑的石英管,用去离子水反复清洗后晾干,使用氢氧焰加热到1900~2000℃,使石英管软化,拉拔成上粗下细的异形石英管;(2)异形石英管内壁镀膜将上述异形石英管用去离子水反复清洗后晾干,在内壁均匀进行氮化硅镀膜,形成氮化硅镀膜异形石英管;(3)异形石英管外壁安装应变片在上述氮化硅镀膜异形石英管外壁,从底端到顶端,用高温陶瓷胶水等间隔粘接三个高温应变片,所述高温应变片的引线连接到外部电荷放大器,电荷放大器连接到控制器;(4)加入闪烁单晶制备原料按照一定配比均匀混合制备闪烁单晶的原料,将原料填装在上述氮化硅镀膜异形石英管中;(5)真空封装在填装原料后的氮化硅镀膜异形石英管的顶部通过氢氧焰加热焊接抽气口,通过真空泵将所述异形石英管内部抽成真空,待异形石英管内部真空度达到要求后,使用氢氧焰封闭异形石英管,并在顶端和底端各焊接上一个固定环;(6)闪烁单晶制备将异形石英管移入单晶炉中,使用顶端固定环连接到运动机构的固定杆上,底端固定环预先留置钢丝绳,设置好熔融区和晶体区温度,开始升温,待温度达到设定值,原料完全熔融后,保温一定时间,设置好下降速率,在运动机构带动下,驱动异形石英管位置开始下降,下降过程中,由控制器根据应变幅度,调节单晶生长速度,预防石英管破损,待样品全部下降到晶体区温度后,异形石英管位置停止下降,保温一定时间;(7)闪烁单晶与异形石英管管体分离保持异形石英管顶端固定环不动,拉动底端固定环连接的钢丝绳,缓慢地将异形石英管上下倒置,生成的闪烁单晶从狭窄的底端移动到宽敞的顶端,一直保持这个位置,保温一定时间后开始按照预定程序降温,待温度降低到室温后,取出异形石英管,用玻璃刀切开异形石英管较粗的顶端,倒出闪烁晶体,保存到真空箱中备用,异形石英管清洗、晾干后保存到真空箱备用。
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  • 本发明提供一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置,属于半导体晶体合成与生长装置领域,采用的技术方案是一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置,包括炉体、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统、测温系统、保温系统和控制系统,所述合成与晶体生长系统包括坩埚和设置在其水平一侧的挥发元素承载器,挥发元素承载器借助注入管与坩埚连通实现水平注入合成;炉体借助配套的旋转机构具有旋转自由度。有益效果是本装置巧妙设置炉体的旋转系统,控制挥发元素承载容器和晶体生长坩埚的位置变化,水平注入合成和垂直梯度晶体生长巧妙结合;装置结构简单,易于操作和控制,利于半导体晶体的产业化生产。
  • 一种单晶硅铸锭用坩埚和单晶硅铸锭方法-201910168212.3
  • 罗鸿志;何亮;周成 - 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司
  • 2019-03-06 - 2019-07-05 - C30B11/00
  • 本发明提供了一种单晶硅铸锭用坩埚,包括坩埚本体和引晶层,坩埚本体包括底座和由底座向上延伸的侧壁,底座和侧壁围成一收容空间,引晶层设置在底座朝向收容空间的一侧,引晶层包括位于底座中部的第一单晶区,以及依次环绕设置在第一单晶区外的第一多晶区、第二单晶区和第二多晶区,第二多晶区外围与侧壁贴合;通过在第一多晶区和第二多晶区之间增设第二单晶区,使得在铸锭过程中第一多晶区的多晶晶粒微凸生长并侵入第二单晶区,生成向外生长的孪晶,阻挡第二多晶区中靠近坩埚侧壁的多晶晶粒的倾斜生长入侵第二单晶区,达到主动阻挡的效果,有效提高单晶硅锭的品质。本发明还提供了一种单晶硅铸锭方法。
  • 一种III-V族半导体晶体的生长装置及生长方法-201610839770.4
  • 狄聚青;朱刘 - 广东先导稀材股份有限公司
  • 2016-09-21 - 2019-07-02 - C30B11/00
  • 本发明提供了一种III‑V族半导体晶体的生长装置,包括:石英管(1),所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3);设置于所述石英管内部的坩埚(2),所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3);设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4);设置于所述石英支撑环上的石英槽(3),所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。
  • 一种填充辅助密封双层安瓿-201820546917.5
  • 艾青 - 湖北理工学院
  • 2018-04-17 - 2019-06-25 - C30B11/00
  • 本实用新型公开了一种填充辅助密封双层安瓿,包括:第一石英管、第二石英管、第三石英管及石英柱,所述第一石英管包括第一石英管本体、第一毛细管及第二毛细管,所述第一石英管本体竖直布置;所述第二石英管密封套设于所述第一石英管,且其内壁与所述第一石英管的外壁之间形成一容纳腔;所述第三石英管竖直布置且其上、下端均开口,所述第三石英管的下端与所述第一石英管本体的上端连通,且其连接部位设置有卡接部;所述石英柱包括石英柱本体及单向阀,所述石英柱本体内置于所述第三石英管,且其下端抵接于所述卡接部。本实用新型的所述第二石英管密封套设于所述第一石英管,减轻了所述第一石英管内部的有机物晶体受到热冲击。
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