[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201711284415.6 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108182951B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 长谷川浩太;大桥荣久 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73;G11B5/706;G11B5/72;G11B5/84
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
搜索关键词: 磁性层 磁记录介质 氮化物 垂直磁性层 非磁性基板 磁性颗粒 粒状结构 晶界部 磁记录再生装置 软磁性底层 保护层 控制层 最表层 氧化物 配向 制造
【主权项】:
1.一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层,其中:/n所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层,/n所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层,/n所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层,/n所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层,/n所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素通过氮化处理而得到的氮化物,/n所述磁性颗粒中所含的元素是硼、钛、铬、铝、锆或硅。/n
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