[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效
申请号: | 201711284415.6 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108182951B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 长谷川浩太;大桥荣久 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/73 | 分类号: | G11B5/73;G11B5/706;G11B5/72;G11B5/84 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。 | ||
搜索关键词: | 磁性层 磁记录介质 氮化物 垂直磁性层 非磁性基板 磁性颗粒 粒状结构 晶界部 磁记录再生装置 软磁性底层 保护层 控制层 最表层 氧化物 配向 制造 | ||
【主权项】:
1.一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层,其中:/n所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层,/n所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层,/n所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层,/n所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层,/n所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素通过氮化处理而得到的氮化物,/n所述磁性颗粒中所含的元素是硼、钛、铬、铝、锆或硅。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711284415.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-201711376704.9
- 长谷川浩太;大桥荣久 - 昭和电工株式会社
- 2017-12-19 - 2020-02-14 - G11B5/73
- 一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。
- 磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-201711284415.6
- 长谷川浩太;大桥荣久 - 昭和电工株式会社
- 2017-12-07 - 2020-02-14 - G11B5/73
- 一种磁记录介质,在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
- 磁盘用基板和磁盘-201710918833.X
- 矢崎生悟;前田高志;舆水修 - HOYA株式会社
- 2014-12-26 - 2019-12-24 - G11B5/73
- 本发明提供磁盘用基板和磁盘,其不会在成膜后的主表面的磁性层上残存异物。一种磁盘用基板,其具备:第1倾斜面,其形成在基板的主表面的外侧;第2倾斜面,其连接所述第1倾斜面和基板的侧壁面;以及棱线,其由所述第1倾斜面和所述第2倾斜面形成,所述棱线设置在比所述主表面靠基板的厚度方向内侧的位置处。
- 磁盘用玻璃基板和磁盘-201711156365.3
- 玉置将德 - HOYA株式会社
- 2013-12-27 - 2019-12-06 - G11B5/73
- 本发明提供一种磁盘用玻璃基板和磁盘,其可以抑制气流在磁盘的外周侧端部的附近发生紊乱,可以抑制磁盘颤动。该磁盘用玻璃基板的特征在于,其具备一对主表面、形成于外周侧端面的侧壁面、以及介于上述侧壁面与主表面之间的倒角面,上述侧壁面的正圆度为1.5μm以下,包括上述中心位置在内的、在板厚方向上不同的多个位置的侧壁面的多个轮廓线的内切圆和外切圆的半径之差为5μm以下。
- 专利分类