[发明专利]一种薄膜异质结构的制备方法在审
| 申请号： | 201810215491.X | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108336219A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;黄凯;鄢有泉;游天桂;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜异质结构的制备方法，包括步骤：提供晶圆衬底，具有注入面；自注入面对晶圆衬底进行离子注入，以于晶圆衬底预设深度处形成一注入缺陷层；提供支撑衬底，将支撑衬底与晶圆衬底进行升温键合；对得到的结构退火处理形成连续缺陷层；采用外力辅助的方式剥离部分晶圆衬底，在支撑衬底上形成晶圆薄膜，得到包括支撑衬底及晶圆薄膜的薄膜异质结构。本发明通过升温键合，可以降低键合结构的热应变，使键合结构在高温工艺中保持稳定完整，避免剥离过程中由于热失配引起裂片问题，通过外力辅助的方法使键合结构在连续缺陷层分开而对键合界面无影响，外力辅助剥离方法可以降低剥离温度与剥离时间，从而降低热应力在压电晶体中的累积效应。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶圆 键合结构 异质结构 剥离 薄膜 支撑 晶圆薄膜 连续缺陷 辅助的 升温键 制备 剥离过程 高温工艺 键合界面 退火处理 压电晶体 缺陷层 热失配 热应变 热应力 注入面 裂片 预设 离子 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜异质结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一晶圆衬底，且所述晶圆衬底具有一注入面；2)自所述注入面对所述晶圆衬底进行离子注入，以于所述晶圆衬底内的预设深度处形成一注入缺陷层；3)提供一支撑衬底，将所述支撑衬底与所述晶圆衬底进行升温键合；4)对步骤3)得到的结构进行退火处理，其中，所述注入缺陷层在所述退火处理的过程中转化为连续缺陷层；以及5)采用外力辅助的方式沿所述连续缺陷层剥离部分所述晶圆衬底，使得所述晶圆衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成一晶圆薄膜，得到包括所述支撑衬底以及键合于所述支撑衬底上的所述晶圆薄膜的薄膜异质结构。
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