[发明专利]图形化衬底、外延片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810230791.5 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108550673B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种图形化衬底、外延片及其制作方法,属于半导体技术领域,该图形化衬底的图形包括呈阵列状分布的多个锥状凸起,多个锥状凸起包括位于图形化衬底的中部的多个第一锥状凸起和位于图形化衬底的边缘的多个第二锥状凸起,多个第二锥状凸起围绕多个第一锥状凸起布置,第一锥状凸起和第二锥状凸起的形状不同,由于第一锥状凸起和第二锥状凸起的形状不同,这样在生长外延层时,可以降低外延层边缘的应力,减少翘曲,使外延片厚度更加均匀,降低外延片边缘和中部的厚度差异,同时通过实验对比发现,还有利于生长量子阱时In的并入,从而提高了外延片发光波长的均匀性和一致性。
搜索关键词: 锥状凸起 图形化 外延片 衬底 半导体技术领域 外延层边缘 阵列状分布 发光波长 厚度差异 实验对比 生长 均匀性 量子阱 外延层 翘曲 制作 发现
【主权项】:
1.一种图形化衬底,所述图形化衬底的图形包括呈阵列状分布的多个锥状凸起,其特征在于,所述多个锥状凸起包括位于所述图形化衬底的中部的多个第一锥状凸起和位于所述图形化衬底的边缘的多个第二锥状凸起,所述多个第二锥状凸起围绕所述多个第一锥状凸起布置,所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的形状不同,所述第一锥状凸起呈圆锥状,所述第二锥状凸起呈圆台状,所述第二锥状凸起的顶面上形成有多个圆锥凸起,或者所述第二锥状凸起的顶面为弧状凸面。/n
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