[发明专利]一种显示结构生产方法有效
| 申请号： | 201810527506.6 | 申请日： | 2018-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108735865B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 潘小和 | 申请（专利权）人： | 矽照光电（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示结构生产方法，包括步骤：在柔性衬底上制造有源矩阵显示控制芯片衬底；在蓝宝石晶圆上生长短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；将有源矩阵显示控制芯片衬底具有金属薄膜粘合层的一面与带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆进行金属粘合；整个柔性有源矩阵显示控制芯片衬底都覆盖上短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；刻蚀形成短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列；填充阵列之间沟隙；进行平面化处理；在阵列表面上设置透明ITO薄膜电极层；分别沉积至少三基色光致激发薄膜层并刻蚀形成有源薄膜矩阵像素阵列；在有源薄膜矩阵像素阵列上覆盖一层透明保护层，得到显示结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光器件 短波长 衬底 量子 显示控制芯片 发光薄膜 显示结构 源矩阵 矩阵像素阵列 蓝宝石 源薄膜 晶圆 刻蚀 平面化处理 透明保护层 发光阵列 金属薄膜 金属粘合 三基色光 阵列表面 薄膜层 粘合层 覆盖 沟隙 沉积 填充 透明 生产 生长 激发 制造 | ||
【主权项】：
1.一种显示结构生产方法，其特征在于，包括步骤：在柔性衬底上制造具有金属薄膜粘合层的有源矩阵显示控制芯片衬底，其中，所述有源矩阵显示控制芯片衬底的一面具有所述金属薄膜粘合层；在蓝宝石晶圆上生长短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；将所述有源矩阵显示控制芯片衬底具有所述金属薄膜粘合层的一面与带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆进行金属粘合；采用紫外激光扫描处理带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆，形成一个剥离区，剥离蓝宝石衬底以及未经紫外激光扫描处理的量子发光薄膜；重复以上步骤，直到整个柔性有源矩阵显示控制芯片衬底都覆盖上短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；在所述短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜上刻蚀形成短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列；填充短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列之间沟隙；将短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列表面进行平面化处理；在短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列表面上设置透明ITO薄膜电极层；在所述透明ITO薄膜电极层上分别沉积至少三基色光致激发薄膜层并刻蚀形成有源薄膜矩阵像素阵列；在所述有源薄膜矩阵像素阵列上覆盖一层透明保护层，得到显示结构。
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- 2016-01-19 - 2019-10-22 - H01L33/00
- 本发明提供了发光二极管的制造方法及由此制成的发光二极管。更具体而言，涉及发光二极管的制造方法，包括如下步骤：在发光结构物上形成凹凸图案；在所述凹凸图案上移植纳米球层；对其进行干法刻蚀，以在所述凹凸图案的表面上形成布置有多个纳米突起的层次表面结构；进行用于降低表面能的化学涂料。根据本发明，通过纳米球刻蚀和干法刻蚀工艺在周期性地布置的凹凸图案表面上能容易形成具有多个纳米突起的层次表面结构，因此，能够简化制造工艺，提高制造良率。并且，借助层次表面结构，能够提高发光二极管的光输出(光提取)及光均匀性。而且，针对水和油提供超防水性和超防油性的湿润特性，从而能够提供自清除附着于表面上的污染源的功能，因此，当实际使用发光二极管时可以防止因污染源导致的光效率减少，且提高元件的使用寿命。
- 一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备-201610340758.9
- 唐玮;王昌勇;聂宇 - 华为终端有限公司
- 2016-05-19 - 2019-10-22 - H01L33/00
- 本发明实施例公开了一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备。其中，一种发光二极管，包括发光二极管本体和填充物。所述发光二极管本体包括注塑浇口，所述注塑浇口为凹陷的缺口。所述填充物设置在所述注塑浇口的凹陷的缺口中，并使所述填充物不超出发光二极管本体的尺寸。本发明实施例的一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备。通过在LED本体的浇口上填充填充物，从而增加LED的强度。避免了LED应为强度低而引起的损坏。
- 一种基于倒装结构的白光Micro LED结构-201910677032.8
- 刘国旭;申崇渝 - 易美芯光（北京）科技有限公司
- 2019-07-25 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，包括电路基板和Micro LED芯片，所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上，所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接，所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接，在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱，并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料，在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶，本发明能够将LED芯片和白光转化为一体的白光micro LED实现结构，不仅具备传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点，加工更容易实现。
- InGaN量子点的外延生长方法及其应用-201810299704.1
- 江灵荣;田爱琴;刘建平;张书明;池田昌夫;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
- 2018-04-04 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种InGaN量子点的外延生长方法，其包括步骤：A、在外延生长装置中，在衬底上依次叠层生长n型GaN层、第一GaN垒层和InGaN阱层；B、在InGaN阱层上制作GaN量子点；C、以GaN量子点为掩膜，刻蚀InGaN阱层，在GaN垒层上获得InGaN量子点；D、生长GaN盖层；E、在GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。本发明通过制作GaN量子点，并以该GaN量子点作为掩膜来制作InGaN量子点的方法，可在衬底上制备获得尺寸均匀且可控的InGaN量子点；由此，以基于上述获得的InGaN量子点的InGaN量子点外延结构作为发光层而形成的发光器件，可具有更小的发光半宽。本发明还公开了一种具有上述外延生长方法获得的InGaN量子点外延结构的发光器件。
- 一种LED芯片及其制作方法-201710613467.7
- 刘英策;刘兆;宋彬;吴奇隆;李俊贤 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2017-07-25 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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