[发明专利]一种改善片式氧传感器跳变偏移的多孔外保护层制备方法在审
| 申请号： | 201810573787.9 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108585801A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄涛;包绍明;李婷;余苗 | 申请（专利权）人： | 成都科锐传感技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;G01N27/409 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘渝 |
| 地址： | 611730 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片式氧传感器多孔外保护层的制备方法，包括以下步骤：制备浆料；对浆料进行球磨和搅拌；在传感器芯片的多孔保护层上依次浸渍涂层催化层和保护层；然后进行低温烧结，得到片式氧传感器多孔外保护层。本发明通过在片式氧传感器的多孔保护层上设置多孔外保护层，且优化多孔外保护层的配方，解决了氢气对片式氧传感器由浓到稀跳变偏移的问题，而且还可增加片式氧传感器的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 片式氧传感器 外保护层 多孔保护层 偏移 跳变 制备 浸渍 传感器芯片 低温烧结 制备浆料 氢气 保护层 催化层 浆料 球磨 配方 优化 | ||
【主权项】：
1.一种改善片式氧传感器跳变偏移的多孔外保护层制备方法，其特征在于，该多孔外保护层包括设于片式氧传感器多孔保护层上的催化层和保护层，其中催化层位于多孔保护层和保护层之间；包括以下步骤：1)制备保护层浆料和催化层浆料；2)对制备好的保护层浆料和催化层浆料进行球磨，再采用高速搅拌器分别对其进行高速搅拌；3)采用浸涂机将催化层浆料浸渍涂层在片式氧传感器的多孔保护层上形成催化层，且涂层的两端比多孔保护层两端的长度长1mm‑3mm；4)采用浸涂机将保护层浆料浸渍涂层在催化层上形成保护层，且涂层的两端比多孔保护层两端的长度长1mm‑3mm；5)将浸渍涂层后的片式氧传感器放入烧结炉中进行低温烧结，然后冷却，得到片式氧传感器多孔外保护层。
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