[发明专利]基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法有效
申请号: | 201810601667.5 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN108806990B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 梁桂杰;陈美华;汪竞阳;李望南;王松;程晓红;吴凯丰 | 申请(专利权)人: | 湖北文理学院 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20 |
代理公司: | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李永宏 |
地址: | 441000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。 | ||
搜索关键词: | 光阳极 量子阱 导电基片 巯基烷酸 量子 光电转化效率 能级 界面电荷 导带 片壳 制备 浸泡 敏化剂溶液 分离效率 复合作用 价带能级 吸光效率 醇溶液 可控性 核层 吸附 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法,其特征在于,包括:将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡,得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜,将所述表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡,得所述基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极;其中,/n所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱根据以下方法制得:将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在加热下与含CdSe量子片核层材料的种子溶液混合,得混合液;所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液与所述种子溶液混合之前,将所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h,之后快速地向所述种子溶液中加入所述含镉前驱液;/n将混合液在190-220℃的条件下加热反应5-10s后,加热温度190-220℃的条件下,向所述混合液中滴加量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液进行反应,滴加完成后反应0.5-1.5h并用冰浴终止,得到所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。/n
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