[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810786440.2 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729269A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李兵;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。形成金属层之后，在金属层上形成金属氧化层，以使后续形成的有机材料层形成在金属氧化层上，由于有机材料层中的碳和氢能够与金属氧化层中的氧形成化学键，从而可有效提高有机材料层和金属氧化层之间的结合力，即相当于提高了有机材料层在金属层上的附着性能，进而可改善有机材料层发生脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 有机材料层 金属氧化层 金属层 化学键 半导体结构 附着性能 结合力 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有一金属层；/n在所述金属层上直接形成一金属氧化层；以及，/n在所述金属氧化层上形成一有机材料层，所述金属氧化层和所述有机材料层之间形成有碳氧键和/或氢氧键。/n
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