[发明专利]以化学气相沉积长碳链硅烷化合物作为气密防水之方法

摘要

本发明提供一种以化学气相法沉积长碳链硅烷化合物于一面板及框体之间作为气密防水之用的方法，包含步骤：沉积一长碳链硅烷化合物于一框体与一面板之接触边缘，其中该长碳链硅烷化合物之前驱溶液包含长碳链硅烷化合物1v/v％及异丙醇99v/v％。该长碳链硅烷化合物为四乙基正硅酸盐(TEOS)。

主权项

1.一种以化学气相沉积长碳链硅烷化合物作为气密防水之方法，其特征在于，包含：压合一框体与一面板以形成一组件；以一光罩覆盖该面板之部分表面，并露出一欲沉积表面；以臭氧电浆将该欲沉积表面进行改质；/n置该组件于一真空反应腔，将该真空反应腔升温至一预定温度，并导入一长碳链硅烷化合物溶液之气体，其中该预定温度为30-70℃；及静置沉积一预定时间形成一长碳链硅烷化合物沉积层于该欲沉积处，其中该预定时间为90-180分钟，/n其中该长碳链硅烷化合物溶液包含长碳链硅烷化合物0.5-1.5v/v％及异丙醇98.5-99.5v/v％。/n