[发明专利]制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810863609.X | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110797475A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王磊;陈虹婷 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00;H01L51/54 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法，所述制备双层薄膜的方法包括以下步骤：在基底上通过溶液法制备下层薄膜；将基底及下层薄膜加热至一定的温度，同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度；将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜，上层薄膜位于下层薄膜上，形成双层薄膜。本发明通过加热上层薄膜材料的前驱液和控制基底和下层薄膜的温度，制得均匀平整的双层膜结构，并且该方法具有成本低，工艺简单易控制，成膜质量好等优点。本发明通过对溶剂的筛选，选择了不会破坏下层薄膜的间二甲苯作为上层材料的溶剂，充分利用了poly‑TPD和PVK的优点，大大提升了量子点发光二极管的效率，降低了器件的开启电压。 | ||
| 搜索关键词： | 上层薄膜 下层 薄膜 加热 双层薄膜 前驱液 基底 制备 发光二极管 溶液法制备 量子点 溶剂 双层膜结构 间二甲苯 开启电压 上层材料 成膜 平整 筛选 | ||
【主权项】：
1.一种制备双层薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n(1)在基底上通过溶液法制备下层薄膜；/n(2)将基底及下层薄膜加热至一定的温度，同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度；/n(3)将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜，所述上层薄膜位于下层薄膜上，形成双层薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810863609.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板及其制备方法、显示装置
- 下一篇：一种自动灭火的电池模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
