[发明专利]排列电路有效

专利信息
申请号: 201811306760.X 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN110880347B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 金相植;赵庚娥;赵鎭先;任斗赫;禹率娥 申请(专利权)人: 高丽大学校产学协力团
主分类号: G11C11/39 分类号: G11C11/39
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 韩国首尔市城北区安岩*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开排列电路。根据本发明的一实施例,排列电路包括二极管结构体的源区与存取电子器件的漏极区域串联的多个反馈场效应电子器件,上述二极管结构体与位线及第一字线相连接,上述存取电子器件与源线及第二字线相连接,向上述位线、上述第一字线及上述第二字线选择性施加电压来执行随机存取动作。
搜索关键词: 排列 电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高丽大学校产学协力团,未经高丽大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811306760.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 排列电路-201811306760.X
  • 金相植;赵庚娥;赵鎭先;任斗赫;禹率娥 - 高丽大学校产学协力团
  • 2018-11-05 - 2023-10-03 - G11C11/39
  • 本发明公开排列电路。根据本发明的一实施例,排列电路包括二极管结构体的源区与存取电子器件的漏极区域串联的多个反馈场效应电子器件,上述二极管结构体与位线及第一字线相连接,上述存取电子器件与源线及第二字线相连接,向上述位线、上述第一字线及上述第二字线选择性施加电压来执行随机存取动作。
  • 晶闸管存储器单元集成电路-201480042157.9
  • G.W.泰勒 - 欧培拉太阳能公司;康涅狄格大学
  • 2014-07-18 - 2016-05-11 - G11C11/39
  • 一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元(MC)的阵列,所述存储器单元(MC)每个从负载元件和晶闸管实现,负载元件和晶闸管定义可切换电流路径,所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字线在所述基底上形成,并耦接到针对对应行的MC电流路径。对应于所述阵列的各个列的位线在所述基底上形成,并可以耦接到针对对应列的MC晶闸管的调制掺杂QW界面。电路被配置成对(多个)字线施加电信号以便生成电流,所述电流根据MC的电流路径的状态将所述MC负载元件的相变材料编程为高或低电阻状态中的一个,以用于非易失性备份和恢复目的。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top