[发明专利]一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201811471118.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585619A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张婷婷;邹时兵;李栋宇;徐兵 | 申请（专利权）人： | 岭南师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 524000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在2.6nm左右的CdS核量子点；将提纯后的量子点在高温下与配位溶剂混合，通过高温热注入法，滴加阳离子与阴离子的混合前驱体，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；从下往上依次设置的玻璃基体、正电极、空穴传输层、CdS/CdSe/CdS量子阱发光层、电子传输层、负电极得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；该发明方法制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱最终发光效率达到100％，将CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 发光二极管 量子点 制备 发光层 高荧光 产率 滴加 制备技术领域 电子传输层 混合前驱体 空穴传输层 纳米晶材料 外量子效率 玻璃基体 发光效率 反应合成 配位溶剂 依次设置 阴阳离子 负电极 前驱体 阳离子 阴离子 正电极 注入法 提纯 包覆 壳层 粒径 | ||
【主权项】：
1.一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)合成CdS核：通过高温热注入法制备粒径在2.6nm的CdS核量子点；(2)CdS/CdSe量子点的合成：将步骤(1)提纯后的CdS核量子点在高温下与配位溶剂1‑ODE混合，通过高温热注入法，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；(3)CdS/CdSe/CdS量子阱合成：在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱。
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