[发明专利]一种阻抗自适应激光二极管驱动器有效

专利信息
申请号: 201811598202.5 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109713564B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 吴戈;胡佳琪;田小建;汝玉星;高博;聂鸿宇;李余隆;彭小乙 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明的一种阻抗自适应激光二极管驱动器属于电子设备的技术领域,主要结构有电流设置模块(1)、限幅设置模块(2)、功率输出模块(3)、负载判断模块(4)、延时补偿模块(5)、电压跟踪模块(6)、断电保护模块(8)和前面板(14)等等。本发明在工作时能够主动适应负载的变化,具有效率高、负载适应范围宽、安全性高、可靠性高等优点。
搜索关键词: 一种 阻抗 自适应 激光二极管 驱动器
【主权项】:
1.一种阻抗自适应激光二极管驱动器,结构有前面板(14)、电流设置模块(1)、限幅设置模块(2)、功率输出模块(3)、显示驱动模块(10)、软启动模块(11)和电源管理模块(13);其特征在于,结构还有参考电压模块(12)、负载判断模块(4)、延时补偿模块(5)、电压跟踪模块(6)、过流判断模块(7)、断电保护模块(8)和超温判断模块(9);其中,电流设置模块(1)与限幅设置模块(2)相连,限幅设置模块(2)还分别与功率输出模块(3)和显示驱动模块(10)相连,软启动模块(11)与功率输出模块(3)相连,功率输出模块(3)分别与显示驱动模块(10)、负载判断模块(4)、过流判断模块(7)相连,参考电压模块(12)与负载判断模块(4)相连,负载判断模块(4)与延时补偿模块(5)相连,延时补偿模块(5)与电压跟踪模块(6)相连,电压跟踪模块(6)与功率输出模块(3)相连,过流判断模块(7)、超温判断模块(9)均与断电保护模块(8)相连,断电保护模块(8)分别与功率输出模块(3)和电压跟踪模块(6)相连;所述的限幅设置模块(2)的结构为:电阻R45的一端作为限幅设置模块(2)的输入端,记作端口CL‑in,另一端接运放U12B的同相输入端和二极管D4的正极,二极管D4的负极接运放U11A的输出端和电阻R44的一端,电阻R44的另一端接运放U11A的反相输入端,运放U11A的同相输入端与电阻R43一端相连,电阻R43的另一端与滑动变阻器W7的滑动端相连,滑动变阻器W7的一端接电源Vdd,另一端接地,运放U12B的反相输入端与电阻R46的一端相连,电阻R46的另一端与运放U12B的输出端相连,运放U12B的输出端作为限幅设置模块(2)的输出端,记作端口CL‑out,接功率输出模块(3)的端口PWR‑in4;所述的功率输出模块(3)的结构为:继电器EK1的开关的一端作为功率输出模块(3)的第一个输入端,记为端口PWR‑in1,另一端接场效应管Q1的漏极,并作为功率输出模块(3)的第一个输出端,记为端口PWR‑out1,继电器EK1的线圈的一端接电源Vdd,另一端作为功率输出模块(3)的第二个输入端,记为端口PWR‑in2,场效应管Q1的栅极与运放U1A的输出端相连,源极作为功率输出模块(3)的第二个输出端,记为端口PWR‑out2,电阻R1的一端接运放U1A的同相输入端,并作为功率输出模块(3)的第三个输入端,记为端口PWR‑in3,电阻R1的另一端作为功率输出模块(3)的第四个输入端,记为端口PWR‑in4,运放U1A的反相输入端与电容C1的一端和电阻R2的一端相连,电容C1的另一端与运放U1A的输出端相连,电阻R2的另一端与滑动变阻器W1的一端、滑动变阻器W1的滑线端及运放U1B的输出端相连,滑动变阻器W1的另一端与电阻R3的一端相连,电阻R3的另一端与运放U1B的反相输入端和电阻R4的一端相连,电阻R4的另一端接地,运放U1B的同相输入端与电阻Rs的一端相连,并作为功率输出模块(3)的第三个输出端,记作端口PWR‑out3,电阻Rs的另一端接地;所述的负载判断模块(4)的结构为:运放U2A的同相输入端作为负载判断模块(4)的第一个输入端,记作端口Vjdg‑in1,与功率输出模块(3)的端口PWR‑out1相连,运放U2A的反相输入端与运放U2A的输出端和电阻R5的一端相连,电阻R5的另一端与电阻R6的一端和运放U3A的同相输入端相连,电阻R6的另一端接地,运放U3A的输出端与电阻R8的一端和电阻R9的一端相连,电阻R8的另一端与运放U3A的反相输入端和电阻R7的一端相连,电阻R7的另一端与运放U2B的反相输入端和运放U2B的输出端相连,运放U2B的同相输入端作为负载判断模块(4)的第二个输入端,记作端口Vjdg‑in2,与功率输出模块(3)的端口PWR‑out2相连,电阻R9的另一端与电阻R10的一端和运放U3B的同相输入端相连,电阻R10的另一端接电源Vcc/2,运放U3B的输出端与电阻R12的一端相连,并作为负载判断模块(4)的输出端,记作端口Vjdg‑out,与延时补偿模块(5)的输入端相连,电阻R12的另一端与运放U3B的反相输入端和R11的一端相连,电阻R11的另一端与运放U4B的输出端和运放U4B的反相输入端相连,运放U4B的同相输入端与滑动变阻器W2的滑线端相连,滑动变阻器W2的一端接地,另一端作为负载判断模块(4)的第三个输入端,记作端口Vjdg‑in3,与参考电压模块(12)的输出端相连;所述的参考电压模块(12)的结构为:电阻R63的一端接电源Vcc,另一端与稳压二极管D10的负极和滑动变阻器W10的一端相连,稳压二极管D10的正极和滑动变阻器W10的另一端接地,滑动变阻器W10的滑线端与运放U7B的同相输入端相连,运放U7B的反相输入端与运放U7B的输出端相连,并作为参考电压模块(12)的输出端,记作端口Vref‑out,与负载判断模块(4)的端口Vjdg‑in3相连;所述的延时补偿模块(5)的结构为:电阻R13的一端与电阻R18的一端相连,并作为延时补偿模块(5)的输入端,记作端口Vdly‑in,与负载判断模块(4)的端口Vjdg‑out相连,电阻R13的另一端与运放U4A的反相输入端和电阻R15的一端相连,运放U4A的同相输入端与电阻R14的一端相连,电阻R14的另一端接电源Vcc/2,电阻R15的另一端与运放U4A的输出端和电阻R16的一端相连,电阻R16的另一端与电阻R17的一端、电阻R21的一端和运放U5A的反相输入端相连,电阻R17的另一端与运放U5A的输出端相连,并作为延时补偿模块(5)的输出端,记作端口Vdly‑out,与电压跟踪模块(6)的第二个输入端相连,运放U5A的同相输入端与电阻R22的一端相连,电阻R22的另一端与电源Vcc/2相连,电阻R21的另一端与电阻R20的一端、电容C2的一端和运放U5B的输出端相连,电阻R20的另一端与电容C2的另一端、运放U5B的反相输入端及电阻R18的另一端相连,电阻R19的一端接运放U5B的同相输入端,另一端接Vcc/2;所述的电压跟踪模块(6)的结构为,电阻R23的一端接电源Vcc/2,另一端与运放U6A的反向输入端相连,运放U6A的同相输入端与电阻R24的一端、电阻R25的一端相连,电阻R24的另一端与运放U6A的输出端相连,电阻R25的另一端与运放U6B的输出端相连,电阻R26的一端与运放U6A的输出端相连,另一端与运放U6B的反向输入端相连;电阻R27的一端与运放U6B的同向输入端相连,另一端接电源Vcc/2;电容C3的一端及电阻R28的一端与运放U6B的反向输入端相连,另一端与运放U6B的输出端相连,运放U6B的输出端与电阻R29的一端相连,电阻R29的另一端与运放U7A的同相输入端相连,并作为电压跟踪模块(6)的第一个输入端,记为端口Vflw‑in1,与断电保护模块(8)的第二个输出端相连;电阻R30的一端与运放U7A的同向输入端相连,另一端作为电压跟踪模块(6)的第二个输入端,记为端口Vflw‑in2,与延时补偿模块(5)的端口Vdly‑out相连;电阻R31的一端与运放U7A的反向输入端相连,另一端接电源Vcc/2;运放U7A的输出端与场效应管Q2的栅极相连,场效应管Q2的漏极接电源Vcc,源极接电感L1的一端和二极管D1的负极,二极管D1的正极接地,电感L1的另一端与电解电容C4的正极、电解电容C5的正极、电容C6的一端、电容C7的一端均相连,并作为电压跟踪模块(6)的输出端,记为端口Vflw‑out,与功率输出模块(3)的端口PWR‑in1相连;电解电容C4的负极、电解电容C5的负极、电容C6的另一端以及电容C7的另一端均接地;所述的过流判断模块(7)的结构为,运放U9A的同向输入端作为过流判断模块(7)的输入端,记为端口OC‑in,与功率输出模块(3)的端口PWR‑out3相连;电阻R35的一端与运放U9A的反向输入端相连,另一端接地;电阻R36的一端与运放U9A的反向输入端相连,另一端与滑动变阻器W3的一端相连;滑动变阻器W3的另一端和滑线端与运放U9A的输出端及运放U9B的同向输入端相连;滑动变阻器W4的一端接电源Vdd,另一端接地,滑线端与运放U9B的反向输入端相连;运放U9B的输出端作为过流判断模块(7)的输出端,记为端口OC‑out,与断电保护模块的一个输入端相连;所述的断电保护模块(8)的结构为,与非门U8A的两个输入端分别作为断电保护模块(8)的两个输入端,记为端口BRK‑in1和端口BRK‑in2,并分别与过流判断模块(7)的输出端、超温判断模块(9)的输出端相连,与非门U8A的输出端接与非门U8B的一个输入端,与非门U8B的另一个输入端接与非门U8C的输出端,与非门U8B的输出端接与非门U8C的一个输入端和场效应管Q3的栅极,与非门U8C的另一个输入端接电容C8的一端和电阻R33的一端,电阻R33的另一端接开关K1的一端和电阻R32的一端,电阻R32的另一端接电源Vdd,开关K1的另一端和电容C8的另一端均接地;场效应管Q3的源极接地,电阻R34的一端作为断电保护模块(8)的第一个输出端,记为端口BRK‑out1,并与功率输出模块(3)的端口PWR‑in2相连,电阻R34的另一端接场效应管Q3的漏极,并作为断电保护模块(8)的第二个输出端,记为端口BRK‑out2,端口BRK‑out2同时与功率输出模块(3)的端口PWR‑in3和电压跟踪模块(6)的端口Vflw‑in1相连;所述的超温判断模块(9)的结构为,稳压二极管D2的负极接电源Vdd,正极接运放U10B的同相输入端,运放U10B的反相输入端与电容C9的一端、电阻R38的一端及二极管Q4的射极相连,电阻R38的另一端接电源Vdd,电容C9的另一端接运放U10B的输出端和电阻R39的一端,电阻R39的另一端接三极管Q4的基极,三极管Q4的集电极与运放U10A的反相输入端相连,并作为超温判断模块(9)的一个输入端,记为端口OT‑in1,电阻R37的一端与运放U10B的同相输入端相连,另一端作为超温判断模块(9)的另一个输入端,记为端口OT‑in2,端口OT‑in1、端口OT‑in2分别与前面板(14)中的热敏电阻输入端口(1411)的两个端子相连;滑动变阻器W5的一端与电源Vdd相连,另一端接地,滑线端与运放U10A的同向输入端相连;运放U10A的输出端作为超温判断模块(9)的输出端,记为OT‑out,与断电保护模块(8)的另一个输入端相连;所述的显示驱动模块10的结构为,电阻R47的一端接地,另一端接电阻R48的一端和运放U12A的反相输入端,电阻R48的另一端接滑动变阻器W8的一个固定端,运放U12A的同相输入端作为显示驱动模块10的一个输入端,记为端口DIS‑in1,与限幅设置模块2的输出端相连,用来采样限幅设置模块2设置的限流值,运放U12A的输出端接滑动变阻器W8的滑线端和开关SW1的一个选择端,电阻R49的一端接地,另一端接电阻R50的一端和运放U13B的反相输入端,电阻R50的另一端接滑动变阻器W9的一个固定端,运放U13B的同相输入端作为显示驱动模块10的另一个输入端,记为端口DIS‑in2,与功率输出模块3的端口PWR‑out3,用于采样功率输出模块3实际输出的电流值,运放U13B的输出端接滑动变阻器W9的滑线端和开关SW1另一个选择端,运放U13B的正电源端接电源Vdd,负电源端接地,开关SW1的公共端作为显示驱动模块10的输出端,记为DIS‑out,接前面板14中的数字表头1403的信号输入端,发光二极管D5的阳极接电源Vdd,阴极接开关SW2的一个选择端,发光二极管D6的阳极接电源Vdd,阴极接开关SW2的另一个选择端,开关SW2的公共端接电阻R51的一端,电阻R51的另一端接地;所述的前面板(14)的结构包括:显示选择(1401)、电源开关(1402)、数字表头(1403)、限制电流指示灯(1404)、输出电流指示灯(1405)、输出控制(1406)、限幅设置(1407)、电流设置(1408)、电流输出端口(1409)、复位按钮(1410)和热敏电阻输入端口(1411)。
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  • 一种光学器件驱动电路、光组件及电子设备,驱动电路包括:第一电流产生模块,包括电流产生单元和驱动单元,电流产生单元与驱动单元连接,驱动单元的输入端接收输入信号、输出端与外部光学器件连接,驱动单元用于根据输入信号控制驱动单元导通以将电流产生单元产生的第一电流输出至外部光学器件;第二电流产生模块,与驱动单元的输出端连接,用于提供第二电流;光学器件驱动电路输出的驱动电流为第一电流和第二电流的叠加和,第一电流为交流调制电流;第二电流为直流偏置电流。本申请通过增加第二电流产生模块,提供第二电流,使得光学器件驱动电路输出的驱动电流为第一电流和第二电流的叠加和,提高了输出给激光器的驱动电流值。
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  • 陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 - 南昌凯迅光电股份有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-09-26 - H01S5/042
  • 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域,具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法,该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极,双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧,且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化,同时通过优化封装材料及形式,以贴片方式封装,可有效解决VCSEL芯片的散热问题,有利于大规模生产。
  • 半导体光集成元件及其制造方法-201980017585.9
  • 进藤隆彦;藤原直树;佐野公一;石井启之;松崎秀昭;山田贵;堀越建吾 - 日本电信电话株式会社
  • 2019-02-28 - 2023-09-26 - H01S5/042
  • 一种半导体光集成元件的制造方法,在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中,不追加检查工序,防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成:DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上,使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件,从而形成半导体晶片的步骤;以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片,形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤;经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤;以及在检查后,在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件,由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断,从而进行电分离的步骤。
  • 半导体激光器恒温恒流驱动装置-202320514594.2
  • 田开坤;徐海霞;李艳生;曹庭水 - 湖北师范大学
  • 2023-03-16 - 2023-09-26 - H01S5/042
  • 本实用新型申请提供的半导体激光器恒温恒流驱动装置,包括金属内腔、金属外罩、隔热层、半导体制冷器、驱动板和半导体激光器;半导体激光器直接内嵌在内腔的顶盖开口处,依靠金属内腔散热;内腔与外罩之间一面嵌入半导体制冷器,其它面填充隔热材料;驱动板和激光器与金属内腔之间填充绝缘导热硅脂,便于迅速传热。本实用新型提供的半导体激光器恒温恒流驱动装置,利用金属的快速传热作用,内置驱动板驱动半导体制冷器对金属内腔恒温控制,金属外罩主要用来散热。金属内腔恒温后,进一步保证驱动板和激光器恒温,恒温下的驱动板输出高精度恒定电流驱动激光器,最终实现激光器恒温恒流的工作环境,使得激光器能够输出功率稳定、波长稳定的光源。
  • 一种脉冲激光器及其驱动电路、驱动电路的控制方法-202310652154.8
  • 梁为升 - 上海科乃特激光科技有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-09-22 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种脉冲激光器及其驱动电路、驱动电路的控制方法,该脉冲激光器的驱动电路用于驱动脉冲激光器,脉冲激光器至少包括激光泵浦源,脉冲激光器的驱动电路包括:控制器和多个调制电路;控制器分别与各调制电路的控制端电连接;各调制电路的输出端均与激光泵浦源电连接;控制器用于获取脉冲激光器预计出射的激光波形,并根据预计出射的激光波形,一一对应地向各调制电路提供对应的驱动信号;调制电路用于在接收到的驱动信号的控制下,向激光泵浦源提供对应的调制信号,以控制脉冲激光器出射的激光波形。本发明的技术方案,可以控制脉冲激光器输出不同脉冲波形的激光,尤其对于ns级窄脉冲,具有良好的脉冲波形生成效果。
  • 高均匀性光功率的VCSEL芯片、激光雷达及其制备方法-202310843059.6
  • 杨国庆;赖威廷;杨通辉;李念宜;郭铭浩 - 浙江睿熙科技有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-09-22 - H01S5/042
  • 本申请属于半导体技术领域,具体为高均匀性光功率的VCSEL芯片,包括多个VCSEL发光区,每个所述VCSEL发光区均具有多个发光点;每个所述VCSEL发光区均设置有第一电极结构以及与所述第一电极结构相配合的第二电极结构,其中,将所述VCSEL发光区分为多个点亮区,其中多个所述点亮区域至少包括第一点亮区域以及与所述第一点亮区域相邻的第二点亮区域;所述第一电极结构包括第一电极层以及第二电极层,其中,所述第一电极层与所述第二电极层并联;所述第一电极层至少连通所述第一点亮区域,所述第二电极层连通所述第二点亮区域。
  • 粉体装车智能计量控制系统-202321086982.1
  • 齐浩宇 - 河北翔金超环保科技有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-09-22 - H01S5/042
  • 本实用新型涉及流量计量技术领域,提出了粉体装车智能计量控制系统,包括光源P1、主控单元和发光驱动电路,发光驱动电路包括三极管Q4、三极管Q3、开关管Q5和开关管Q7,三极管Q4的基极连接主控单元,三极管Q4的基极连接三极管Q3的基极,三极管Q4的集电极连接24V电源,三极管Q4的发射极连接三极管Q3的发射极,三极管Q3的集电极接地,三极管Q3的发射极通过电阻R7连接开关管Q5的控制端,开关管Q5的第一端连接24V电源,开关管Q5的第二端连接光源P1的第一端,光源P1的第二端接地,开关管Q7的控制端连接光源P1的第一端,开关管Q7的第一端接地,开关管Q7的第二端连接三极管Q4的基极。通过上述技术方案,解决了现有技术中光学法检测粉末流量不精准的问题。
  • 一种软启动恒功率激光指示器控制电路和方法-202310627408.0
  • 蔡震;邱文强;顾泽良 - 江苏亮点光电科技有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - H01S5/042
  • 本发明提供了一种软启动恒功率激光指示器控制电路和方法,其可避免激光器过冲过流,保护激光器及其他器件,保证稳定功率输出,且功耗低;包括:PD采样模块,用于采集激光的散射光,以获取出光电压;主控模块,与所述PD采样模块连接,用于根据接收的出光电压获得实际激光输出功率,并输出相应控制信号;转换输出模块,与所述主控模块连接,用于根据控制信号调整功率大小,并进行DA转换输出;压控恒流源模块,与所述转换输出模块连接,用于接收所述转换输出模块输出的转换信号,输出压控恒流信号;LD驱动模块,与所述压控恒流源模块连接,用于接收压控恒流输出信号,以进行激光恒流输出。
  • 半导体激光器的电源驱动电路及激光雷达发射模组-202210195565.4
  • 王鹏;贺喆;周艳妮 - 西安炬光科技股份有限公司
  • 2022-03-01 - 2023-09-12 - H01S5/042
  • 本申请提供一种半导体激光器的电源驱动电路及激光雷达发射模组,其中,电源驱动电路包括:多个驱动芯片、多个开关管、半导体激光器、储能电容;所述多个驱动芯片的输入端用于接收预设脉冲信号,所述多个驱动芯片的输出端分别连接所述多个开关管的控制端,以根据所述预设脉冲信号控制所述多个开关管的通断;所述多个开关管的输入端连接所述半导体激光器的阴极,所述多个开关管的输出端接地;第一电源连接所述储能电容,所述储能电容的另一端接地,所述储能电容的一端还连接所述半导体激光器的阳极,以为所述半导体激光器的阳极供电。本申请可在保证半导体激光器的高峰值功率需求的情况下,减小电源驱动电路的体积以及成本。
  • 一种半导体激光器及其制备方法-202310679370.1
  • 卢敬权;殷淑仪 - 东莞市中镓半导体科技有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-08 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法,半导体激光器包括n型层、p型层,以及位于所述n型层和所述p型层之间的发光层;所述n型层与所述发光层之间形成有电流狭窄层,所述电流狭窄层内通过离子注入换形成有一用于实现电流注入的n型电流通道,所述n型电流通道的表面与所述电流狭窄层的表面持平。通过在n型侧采用离子注入的方式制作电流通道,使电流狭窄层在具有电流局部注入功能的同时能够保持表面平整,不影响后续的外延,从而改善半导体激光器的产品质量,提高良品率。
  • 激光器及其制备方法-202310308102.9
  • 郑婉华;徐传旺;齐爱谊;王炬文;渠红伟;周旭彦;王亮 - 中国科学院半导体研究所
  • 2023-03-27 - 2023-08-25 - H01S5/042
  • 本公开提供了一种激光器及其制备方法,应用于半导体激光器技术领域。该激光器包括N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、反型层和P面电极层,该反型层包括至少一个反型层单元,P面电极层还与所述欧姆接触层接触。本公开通过在传统外延结构上继续外延生长一层反型层,仅需一次光刻实现区域电流注入,无需沉积绝缘层或者离子注入,大大简化了芯片的制作过程,提升了制备效率。同时通过欧姆接触层或P型限制层与反型层之间形成的凹凸结构,有助于P面电极层的金属扩展,增加了芯片与金属之间的粘合力。且多个反型层单元的设置,可以实现不同反型层单元之间的相互耦合,进而改善光束质量。
  • 光半导体装置-201980013122.5
  • 凑龙一郎;大木泰 - 古河电气工业株式会社
  • 2019-02-14 - 2023-08-22 - H01S5/042
  • 本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电‑光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置,特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置,具备光半导体元件和电连接部,所述光半导体元件具备:半导体层叠部;活性区域,被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住;以及第一电极层和第二电极层,该第一电极层设置于半导体层叠部的上部,该第二电极层设置于半导体层叠部的下部,所述电连接部连接于光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方,用于将电流注入到活性区域,该光半导体装置的特征在于,当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时,满足α>β,且β>0。
  • 一种激光器驱动电源的控制系统-202320446583.5
  • 蒋成明;顾鹏;雷仕建;曹雄伟;王运;李德求 - 深圳青铜剑能源科技有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-08-18 - H01S5/042
  • 本实用新型公开了一种激光器驱动电源的控制系统,所述系统包括数字控制模块和模拟控制模块;所述数字控制模块用于实时获取所述激光器驱动电源的输出电流值,将所述输出电流值与电流给定值进行比对,通过PID控制器结合比对差值进行占空比输出调制,所述调制后的占空比依次经光电隔离器和低通滤波器后输入至所述模拟控制模块;所述模拟控制模块用于根据所述调制后的占空比对所述激光器驱动电源的输出电流进行偏差矫正,结合了数字控制和模拟控制各自的优点,在提高了控制精度和响应时间的同时,还不受温度湿度等环境因素的影响,实现了高精度快响应抗干扰性强的激光器驱动电源输出。
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