[发明专利]包括超低K间隔件的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811620830.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110364529A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 池连赫;文范浩;金仁祥 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种包括超低k间隔件的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：位线结构，其包括位线接触插塞和在位线接触插塞上的位线；储存节点接触插塞；超低k间隔件，其包括与位线接触插塞的侧壁接触的间隙填充间隔件和与位线的侧壁接触的线型间隔件；以及低k间隔件，其形成在超低k间隔件的线型间隔件上以接触储存节点接触插塞，其中，间隙填充间隔件比线型间隔件厚。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔件 半导体器件 侧壁接触 储存节点 间隙填充 接触插塞 位线接触 插塞 位线 位线结构 在位线 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：位线结构，所述位线结构包括位线接触插塞和在所述位线接触插塞上的位线；储存节点接触插塞；超低k间隔件，所述超低k间隔件包括与所述位线接触插塞的侧壁接触的间隙填充间隔件和与所述位线的侧壁接触的线型间隔件；以及低k间隔件，其形成在所述超低k间隔件的所述线型间隔件上以接触所述储存节点接触插塞，其中，所述间隙填充间隔件比所述线型间隔件厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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