[实用新型]一种带半绝缘缓冲层的GaAs基高电子迁移率晶体管材料结构

摘要

一种带半绝缘缓冲层的GaAs基高电子迁移率晶体管材料结构，该材料结构由在半绝缘GaAs衬底上依次生长的低温LT‑GaAs缓冲层、低温LT‑GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层、下AlGaAs势垒层、下平面掺杂层、下AlGaAs空间隔离层、InGaAs沟道层、上AlGaAs空间隔离层、上平面掺杂层、上AlGaAs势垒层、第二AlAs阻断层、GaAs次帽层、第一AlAs阻断层、重掺杂GaAs帽层组成。该材料结构采用低温生长的方法在外延生长过程中将缓冲层变成半绝缘材料，可以提高器件的电学隔离性能以及静电损伤的防护能力，也对器件制造和电路设计提供更大的灵活性和便利。

主权项

1.一种带半绝缘缓冲层的GaAs基高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于：该结构包括半绝缘GaAs衬底(1)、低温LT‑GaAs缓冲层(2)、低温LT‑GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层(3)、下AlGaAs势垒层(4)、下平面掺杂层(5)、下AlGaAs空间隔离层(6)、InGaAs沟道层(7)、上AlGaAs空间隔离层(8)、上平面掺杂层(9)、上AlGaAs势垒层(10)、第二AlAs阻断层(11)、GaAs次帽层(12)、第一AlAs阻断层(13)和重掺杂GaAs帽层(14)；在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长低温LT‑GaAs缓冲层(2)、低温LT‑GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层(3)、下AlGaAs势垒层(4)、下平面掺杂层(5)、下AlGaAs空间隔离层(6)、InGaAs沟道层(7)、上AlGaAs空间隔离层(8)、上平面掺杂层(9)、上AlGaAs势垒层(10)、第二AlAs阻断层(11)、GaAs次帽层(12)、第一AlAs阻断层(13)、重掺杂GaAs帽层(14)。