[实用新型]一种可快速控制显影精度的光罩版有效
申请号: | 201821926454.1 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN208937903U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 徐文权 | 申请(专利权)人: | 广州仕元光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人: | 万振雄;林玉旋 |
地址: | 510730 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体器件的加工工艺技术领域,公开了一种可快速控制显影精度的光罩版,光罩版上设有曝光区、显影标记区、识别区和手持区,曝光区位于光罩版的中心区域,显影标记区包围在曝光区的外侧,识别区包围在显影标记区的外侧,识别区和光罩版的边沿之间的区域为手持区,显影标记区内设有以光罩版的中心为中心的一圈套一圈的宽度均匀的环形框对比图案,这些环形框对比图案的宽度由内向外呈依次递减或递增,识别区为以光罩版的中心为中心的宽度均匀的环形框区。本实用新型中的环形框对比图案更加容易观察,可以避免环形框对比图案被手误碰到,通过监控环形框对比图案的显影程度,将显影变化情况和显影时间结合起来实现控制显影精度。 | ||
搜索关键词: | 光罩 环形框 显影 对比图案 显影标记 识别区 曝光区 快速控制 手持区 加工工艺技术 半导体器件 本实用新型 依次递减 由内向外 中心区域 区包围 手误 圈套 递增 包围 监控 观察 | ||
【主权项】:
1.一种可快速控制显影精度的光罩版,其特征在于,所述的光罩版上设有曝光区、显影标记区、识别区和手持区,其中曝光区位于光罩版的中心区域,显影标记区包围在曝光区的外侧,识别区包围在显影标记区的外侧,识别区和光罩版的边沿之间的区域为手持区,显影标记区内设有以光罩版的中心为中心的一圈套一圈的宽度均匀的环形框对比图案,这些环形框对比图案的宽度由内向外呈依次递减或递增,所述的识别区为以光罩版的中心为中心的宽度均匀的环形框区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州仕元光电股份有限公司,未经广州仕元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821926454.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备