[实用新型]一种抗辐照小型化双频段频率源

摘要

本实用新型提供了一种抗辐照小型化双频段频率源，包括第一抗辐照鉴相器、第一差分环路滤波、第一运算放大器、第一压控振荡器、第一输出滤波器、基板、金属管壳，基板为多层叠加结构，各层之间采用金属化填充垂直互联过孔互联；采用独立芯片实现的器件，根据芯片高度不同，焊装在所述基板上低于射频走线层的芯片装配层上，芯片装配层上芯片位置对应的基板上部区域开槽，起腔与顶部金属管壳形成封闭腔体，用于芯片安装，各芯片通过射频走线层的金属线进行互联，通过电阻和电容实现的部件，内埋在内置阻容层上，通过金属化填充垂直互联过孔与射频走线层进行互联，再通过射频走线层上的金属线与其他部件互联。本实用新型具有抗辐照、小型化、高集成度，低杂散等特点。

主权项

1.一种抗辐照小型化双频段频率源，其特征在于包括第一抗辐照鉴相器、第一差分环路滤波、第一运算放大器、第一压控振荡器、第一输出滤波器、基板、金属管壳，基板为多层叠加结构，包括射频走线层、内置阻容层、芯片装配层、金属地层、电源层，各层之间采用金属化填充垂直互联过孔互联；射频走线层下方至少设有1层金属地层，上方至少设有1层金属地层或者1层内置阻容层；参考频率信号连接至第一抗辐照鉴相器，第一抗辐照鉴相器、第一差分环路滤波、第一运算放大器、第一压控振荡器、第一输出滤波器串联连接，同时，第一压控振荡器的输出端反馈连接至第一抗辐照鉴相器，第一输出滤波器为第一频率源的输出端；第一抗辐照鉴相器、第一运算放大器、第一压控振荡器、第一输出滤波器采用独立芯片实现，根据芯片高度不同，焊接在所述基板上低于射频走线层的芯片装配层上，芯片装配层上芯片位置对应的基板上部区域开槽，起腔与顶部金属管壳形成封闭腔体，用于芯片安装，各芯片通过射频走线层的金属线进行互联；第一差分环路滤波通过电阻和电容实现，内埋在内置阻容层上，通过金属化填充垂直互联过孔与射频走线层进行互联，再通过射频走线层上的金属线与第一抗辐照鉴相器和第一运算放大器互联。