[发明专利]使用梳状路由结构以减少金属线装载的存储器件

摘要

一种存储器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。所述第一半导体结构包括第一衬底以及所述第一衬底上的一个或多个外围器件。所述第二半导体结构包括与多个竖直结构中的第一组电耦合的第一组导电线以及与所述多个竖直结构中的第二组电耦合的第二组导电线，所述多个竖直结构中的第二组不同于所述多个竖直结构中的第一组。所述第一组导电线与所述多个竖直结构的一端竖直隔开一定距离，并且所述第二组导电线与所述多个竖直结构的相对端竖直隔开一定距离。

主权项

1.一种存储器件，包括：/n第一半导体结构，包括：/n第一衬底；/n所述第一衬底上的一个或多个外围器件；以及/n一个或多个互连层，所述一个或多个互连层包括第一导体层；/n第二半导体结构，包括：/n第二衬底；/n设置在所述第二衬底的第一表面上方的具有交替的导体和绝缘体层的堆叠层；/n竖直延伸通过所述堆叠层的多个结构；/n与所述多个结构中的第一组电耦合的第一组导电线，所述第一组导电线与所述多个结构的一端竖直隔开一定距离；以及/n与所述多个结构中的与所述多个结构中的所述第一组不同的第二组电耦合的第二组导电线，所述第二组导电线与所述多个结构的相对端竖直隔开一定距离，/n其中，所述多个结构包括NAND存储器串，所述第二组导电线位于所述第二衬底的与所述第一组导电线相对的一侧上，所述第一组导电线和所述第二组导电线中的每者包括耦合至所述NAND存储器串中的一者或多者的位线，所述位线在所述第一组导电线和所述第二组导电线之间交错地布置，和/或/n所述第一组导电线和所述第二组导电线中的每者包括耦合至所述堆叠层的导电层的字线，所述字线在所述第一组导电线和所述第二组导电线之间交错地布置。/n