[发明专利]化学机械研磨后调配物和使用方法在审
| 申请号： | 201880024133.9 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110506100A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | D·弗赖伊;刘俊;D·怀特;M·怀特 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C11D1/38 | 分类号： | C11D1/38;C11D1/42;H01L21/02;C11D11/00 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李婷<国际申请>=PCT/US2018/ |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于从其上具有化学机械研磨CMP后残余物和污染物的微电子装置清洗所述残余物和污染物的清洗组合物和方法。所述组合物在不损害低k介电材料或铜互连材料的情况下实现从所述微电子装置的表面高效清洗所述CMP后残余物和污染物材料。另外，所述清洗组合物与含钌材料兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 残余物 清洗组合物 微电子装置 清洗 污染物 化学机械研磨 低k介电材料 污染物材料 含钌材料 铜互连 兼容 损害 | ||
【主权项】：
1.一种清洗组合物，其包括至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。/n
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- D·弗赖伊;刘俊;D·怀特;M·怀特 - 恩特格里斯公司
- 2018-04-11 - 2019-11-26 - C11D1/38
- 本发明提供一种用于从其上具有化学机械研磨CMP后残余物和污染物的微电子装置清洗所述残余物和污染物的清洗组合物和方法。所述组合物在不损害低k介电材料或铜互连材料的情况下实现从所述微电子装置的表面高效清洗所述CMP后残余物和污染物材料。另外，所述清洗组合物与含钌材料兼容。
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