[发明专利]肖特基CMOS异步逻辑单元有效
| 申请号： | 201880031001.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110622419B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 奥古斯丁·魏-春·张;皮埃尔·德尔米 | 申请（专利权）人： | 肖特基LSI公司 |
| 主分类号： | H03K19/0956 | 分类号： | H03K19/0956;H03K19/017;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的集成电路实现x输入逻辑门。该集成电路包括：多个肖特基二极管，所述多个肖特基二极管包括x个肖特基二极管；以及多个源极跟随器晶体管，所述多个源极跟随器晶体管包括x个源极跟随器晶体管。多个源极跟随器晶体管中的每个对应的源极跟随器晶体管包括耦合到对应的肖特基二极管的对应的栅极节点。多个源极跟随器晶体管中的第一源极跟随器晶体管串联连接到多个源极跟随器晶体管中的第二源极跟随器晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 cmos 异步 逻辑 单元 | ||
【主权项】：
1.一种实现NAND门系统的集成电路，所述集成电路包括：/n第一输入，所述第一输入耦合到第一p型肖特基二极管的阴极；/nx个附加输入，所述x个附加输入耦合到x个附加p型肖特基二极管的x个相应的阴极；/n第一n型晶体管，所述第一n型晶体管包括耦合到所述第一肖特基二极管的阳极和所述x个附加肖特基二极管的x个相应的阳极的栅极节点；以及/np型晶体管，所述p型晶体管包括耦合到所述第一肖特基二极管的所述阳极和所述x个附加肖特基二极管的x个相应的阳极的栅极节点；/n第二n型晶体管，所述第二n型晶体管包括耦合到所述第一p型肖特基二极管的所述阴极的栅极节点；以及/nx个附加n型晶体管，所述x个附加n型晶体管包括耦合到所述x个附加p型肖特基二极管的所述x个相应的阴极的x个相应的栅极节点；/n其中，输出耦合到所述第一n型晶体管的非栅极节点和所述p型晶体管的非栅极节点。/n
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