[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201880035523.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110710002B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王晶;郭桓邵;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管及其制作方法，包括：发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层（110）、发光层（120）和第二半导体层（130）；透明介质层（200），至少形成在第二半导体层（130）上，透明介质层（200）具有平台（210）和一系列开口（220）；透明介质层（200）的开口（220）内具有欧姆接触层（310），欧姆接触层（310）与第二半导体层（130）之间具有过渡层（320），过渡层（320）的热迁移率低于欧姆接触层（310），解决了欧姆接触区域材料选择的难题，有效控制了开口面积，减小欧姆接触区域的吸光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管,包括：发光外延层，包括第一半导体层、第二半导体层及两者之间的发光层；透明介质层，至少形成在发光外延层的第二半导体层一侧，透明介质层具有平台和一系列开口，开口露出发光外延层；透明介质层的开口内具有欧姆接触层，其特征在于，欧姆接触层与发光外延层之间具有过渡层，过渡层采用的材料热迁移率低于欧姆接触层的材料。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州三安半导体科技有限公司，未经泉州三安半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880035523.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
