[发明专利]基于(GaY)2有效

专利信息
申请号: 201910324339.X 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110323291B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 何云斌;王其乐;黎明锴;黄攀;卢寅梅;常钢;李派;张清风;陈俊年 申请(专利权)人: 湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/09;H01L31/18
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 杨采良
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于(GaY)2O3非晶薄膜的高增益日盲紫外光探测器及其制备方法。所述器件从下至上依次为c面蓝宝石、有源层、一对平行电极,所述有源层为非晶(GaY)2O3薄膜。本发明利用Y3+离子部分取代Ga2O3中的Ga3+离子,在提高Ga2O3带隙的同时使薄膜由单晶转化为非晶。更高带隙的非晶(GaY)2O3薄膜能够有效地降低器件的暗电流,并使截止波长蓝移至280nm以内。同时非晶(GaY)2O3薄膜具有更高的缺陷浓度,缺陷不仅能提高增益还能作为复合中心促进载流子复合,得益于此,非晶(GaY)2O3器件相对于纯Ga2O3器件其响应度显著提高且弛豫时间明显降低,极大提高了对深紫外光的探测能力。
搜索关键词: 基于 gay base sub
【主权项】:
1.一种基于(GaY)2O3非晶薄膜的高增益日盲紫外光探测器,其特征在于:所述探测器从下至上依次包括c面蓝宝石衬底、有源层、一对平行电极,其中:所述有源层为(GaY)2O3非晶薄膜。
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