[发明专利]一种自滤光硅肖特基单色探测器

摘要

本发明公开了一种波长响应在1030nm附近的自滤光硅肖特基单色探测器，该探测器为垂直结构，由上至下依次包括：欧姆接触窗口电极、可实现高通自滤光功能的Si基片、高红外反射率的肖特基接触层、欧姆接触底电极。该探测器以外延Bi₂Se₃或Sb₂Te₃单晶薄膜与H钝化Si基片接触形成的理想肖特基结为光探测工作区，单晶Si基片自身作为高通滤光片，实现1030nm波长近红外光的选择性高效探测。本发明的自滤光硅肖特基单色探测器可作为市售InGaAs基红外激光器的匹配探测器，用于光纤通信，光器件检测，单色光源检测等领域。其性能优异，结构简单，易于小型化、既可作分立器件使用也可作阵列集成，使用时无需冷却，成本低廉，具有较快的反应速率和较高的量子效率，市场化前景可观。

主权项

1.一种自滤光硅肖特基单色探测器，其特征在于：包括可实现高通自滤光功能的Si基片(2)，所述可实现高通自滤光功能的Si基片(2)一侧设有欧姆接触窗口电极(1)，可实现高通自滤光功能的Si基片(2)另一侧设有高红外反射率的肖特基接触层(3)，所述高红外反射率的肖特基接触层(3)上设有欧姆接触底电极(4)。