[发明专利]一种基于SVM的区域电离层模型补偿方法有效

专利信息
申请号: 201910467899.0 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110208824B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 潘树国;张正协;高成发;高旺;喻国荣;赵涛 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01S19/07 分类号: G01S19/07;G01S19/41
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 孟红梅
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于SVM的区域电离层模型补偿方法。首先根据CORS站观测值获得信号穿刺点处电离层VTEC值和穿刺点经纬度,建立区域电离层多项式模型;然后使用多项式模型求解各穿刺点的VTEC模型值和模型值残差;其次建立SVM模型,将穿刺点经纬度、VTEC模型值作为SVM模型输入参数,VTEC模型值残差作为输出参数,构建学习样本数据进行训练建模;最后利用训练好的SVM模型计算模型残差补偿值,结合VTEC多项式模型值得到VTEC预测值。使用本发明提出的方法,能够建立区域高精度电离层延迟改正模型,提高区域内单频用户导航定位的精度与可靠性。
搜索关键词: 一种 基于 svm 区域 电离层 模型 补偿 方法
【主权项】:
1.一种基于SVM的区域电离层模型补偿方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据CORS站观测值获得信号穿刺点处电离层VTEC值和穿刺点经纬度,建立区域电离层多项式模型;(2)使用多项式模型求解各穿刺点的VTEC模型值和模型值残差;(3)建立SVM模型,将穿刺点经纬度、VTEC模型值作为SVM模型输入参数,VTEC模型值残差作为输出参数,构建学习样本数据进行训练建模;(4)利用训练好的SVM模型计算模型残差补偿值,结合VTEC多项式模型值得到VTEC预测值。
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