[发明专利]一种硅基底超疏水超亲水区域分布表面及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910471591.3 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110255492A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李杰;吴昊晨 | 申请（专利权）人： | 北京工商大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;C09K3/00;C09K3/18;C09K3/32;B01D17/022;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 耿超 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种硅基底超疏水超亲水区域分布表面及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：对硅基底的表面进行激光加工，得到具有微米‑亚微米级粗糙结构的第一表面；对第一表面进行羟基化处理，得到第二表面；在缩合反应的条件下，使第二表面与有机溶液进行缩合反应，得到第三表面；对第三表面进行选区紫外照射处理，得到硅基底超疏水超亲水区域分布表面。本公开的方法制备得到的硅基底表面具有优良的超亲水/超疏水区域分布特性。 | ||
| 搜索关键词： | 区域分布 超亲水 超疏水 硅基 制备方法和应用 第二表面 第一表面 缩合反应 紫外照射处理 硅基底表面 羟基化处理 粗糙结构 激光加工 亚微米级 有机溶液 制备 选区 | ||
【主权项】：
1.一种制备硅基底超疏水超亲水区域分布表面的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)对硅基底的表面进行激光加工，得到具有微米‑亚微米级粗糙结构的第一表面；(2)对所述第一表面进行羟基化处理，得到第二表面；(3)在缩合反应的条件下，使所述第二表面与有机溶液进行缩合反应，得到第三表面；(4)对所述第三表面进行选区紫外照射处理，得到所述硅基底超疏水超亲水区域分布表面。
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