[发明专利]一种提高表面DBD激励器诱导射流速度的装置及方法

摘要

提供一种三电极式布局DBD激励器，由高压电极(①)、地电极(②)、第三电极(③)和阻挡介质层(④)四部分组成。基于此，提供一种提高表面DBD激励器诱导射流速度的装置，包括短脉冲高压高频等离子体电源(⑤)、三电极式布局DBD激励器、偏置高压直流源(⑥)。还提供一种提高表面DBD激励器诱导射流速度的方法。该方法显著提升了等离子体诱导射流速度，放电诱导近壁面射流可达10m/s以上。

主权项

1.一种三电极式布局DBD激励器，其特征在于三电极式布局DBD激励器，以下简称“激励器”，由高压电极(①)、地电极(②)、第三电极(③)和阻挡介质层(④)四部分组成；激励器布局中将矩形条状高压电极(①)嵌于阻挡介质层(④)上表面，位于阻挡介质层(④)长度方向轴线的左边，高压电极(①)左右两边缘与阻挡介质层(④)左边缘、阻挡介质层(④)长度方向轴线分别保持距离，高压电极(①)前后边缘与阻挡介质层(④)前后边缘分别保持距离，高压电极(①)上表面保证裸露；矩形条状地电极(②)嵌于阻挡介质下表面，大致位于阻挡介质层(④)长度方向轴线处，地电极(②)左右两边缘与阻挡介质层(④)左右两边缘分别保持距离，地电极(②)前后边缘与阻挡介质层(④)前后边缘分别保持距离，地电极(②)下表面裸露或置于介质内；并且，地电极(②)宽度为W_b，高压电极(①)与地电极(②)在水平方向上的水平间隔为d₁，d₁可正可负，是一个较小的数值，d₁为正表示高压电极(①)与地电极(②)存在水平间距，d₁为负表示高压电极(①)与地电极(②)在水平方向上部分重合，d₁＝0时高压电极(①)右边缘和地电极(②)左边缘竖直方向上重合；此外，高压电极(①)与地电极(②)在竖直方向上必须存有间距；矩形条状第三电极(③)布置在阻挡介质层(④)的上表面或封装于阻挡介质层(④)内，位于地电极(②)的右侧，第三电极(③)宽度为W_e；第三电极(③)右边缘与阻挡介质层(④)右边缘保持距离，第三电极(③)左边缘与地电极(②)右边缘的水平间隔为d₂，d₂可正可负，是一个较小的数值，d₂为正表示第三电极(③)与地电极(②)存在水平间距，d₂为负表示第三电极(③)与地电极(②)在水平方向上部分重合，d₂＝0时第三电极(③)左边缘和地电极(②)右边缘竖直方向上重合；第三电极(③)前后边缘与阻挡介质层(④)前后边缘分别保持距离；此外，第三电极(③)与地电极(②)在竖直方向上必须存有间距；当第三电极(③)布置在阻挡介质层(④)的上表面时，要保证上表面裸露，当第三电极(③)封装于阻挡介质层(④)内时，第三电极(③)的上下表面与阻挡介质层(④)的上下表面平行。