[发明专利]一种基于IGZO TFT的D触发器电路有效

专利信息
申请号: 201910546215.6 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110391797B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 章涵宇;刘远;史伟伟;李俊辉;熊晓明;李星驰 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012;H03K3/3562
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 杨晓松
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 为了解决现有技术中D触发器晶体管数量多、面积大、功耗高的问题,本发明提供一种基于IGZO TFT的D触发器电路,包括两个结构相同的纯N型D锁存器,其技术方案在于:上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。本发明通过两个D锁存器利用有比电路连接而成,其中有比电路通过上拉和下拉网络晶体管宽长比的不同所呈现电阻的不同来决定输出电压,电路的输出是上拉和下拉管分压的结果,与宽长比的比例有关,所以只要比例合适,可以使用宽长比较小的晶体管来降低整体面积。本发明具有结构简单,晶体管数量少、面积小、功耗低的优点。
搜索关键词: 一种 基于 igzo tft 触发器 电路
【主权项】:
1.一种基于IGZO TFT的D触发器电路,包括两个结构相同的纯N型D锁存器,其特征在于:上述两个纯N型D锁存器通过有比结构连接。
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