[发明专利]利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910546744.6 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110311023A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陶涛;智婷;刘斌;谢自力;陈鹏;陈敦军;修向前;赵红;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/04;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，在InGaN外延片上形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜。并公开了其制备方法。本发明利用金属表面等离激元效应提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，经由PVD蒸镀、高温热处理、RIE、ICP技术制备纳米结构，使得二次蒸镀金属共振波长与多量子阱的发光波长相匹配，配合寿命谱测试结果修正金属周期、种类、尺寸、浓度等，最终将等离激元耦合状态下的载流子降低至皮秒量级。本方法可有效提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，是一种工艺相对简单、成本低且可靠性高的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面等离激元 等离激元 纳米柱 光通信 宽带 蒸镀 制备 调制 载流子 技术制备纳米 金属纳米颗粒 金属 电子阻挡层 高温热处理 纳米柱结构 多量子阱 共振波长 光波长相 金属表面 耦合状态 介质层 金属膜 寿命谱 外延片 阵列式 侧壁 填充 匹配 修正 贯穿 配合 | ||
【主权项】：
1.一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，其结构自下而上包括：一衬底；一生长在衬底上的n型GaN层；一生长在n型GaN层上的InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层；一生长在量子阱有源层上的电子阻挡层；一生长在电子阻挡层上的p型GaN层；一生长在p型GaN层上的介质层；其特征在于：所述LED刻蚀形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜；还包括一设置在p型GaN层上的p型电极和一设置在n型GaN层上的n型电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910546744.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：GaN基发光二极管外延片及其制造方法
- 下一篇：发光二极管
- 同类专利
- 具有图案化衬底的发光器件-201580028825.7
- T.洛佩斯 - 亮锐控股有限公司
- 2015-05-18 - 2019-10-25 - H01L33/20
- 根据本发明的实施例的照明器件包括具有从衬底的表面延伸的多个孔的衬底。非III氮化物材料设置在多个孔内。衬底的表面没有非III氮化物材料。半导体结构生长在衬底的表面上。半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。
- 一种防漏蓝倒装LED芯片及其制作方法、LED器件-201910679841.2
- 余金隆;庄家铭 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2019-07-26 - 2019-10-22 - H01L33/20
- 本发明公开了一种防漏蓝倒装LED芯片及其制作方法、LED器件，所述LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、以及n个刻蚀台阶，n≥1；第1个刻蚀台阶沿着衬底表面向发光结构一侧进行刻蚀，后一个刻蚀台阶沿着前一个刻蚀台阶进行刻蚀，n个刻蚀台阶呈阶梯型从衬底表面向发光结构一侧延伸。本发明通过对衬底的侧壁刻蚀形成n个刻蚀台阶，有效增加荧光粉与衬底侧壁的接触面积，使得荧光粉更好地附着在衬底的侧壁上，从而减少芯片侧面漏蓝，提高出光效率；此外，还可以有效减少荧光粉的用量。
- 生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用-201710066655.2
- 李国强;余粤锋;高芳亮;徐珍珠 - 华南理工大学
- 2017-02-06 - 2019-10-18 - H01L33/20
- 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时；(5)低温生长GaN纳米柱：在650‑800℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时。本发明还公开了上述制备方法得到的生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其应用。本发明既改善了高温生长纳米柱的不均匀性，又改善低温生长纳米柱的柱向杂乱情况，同时本发明具有工艺简单，生产周期短等优点。
- 利用表面等离激元增强LED光通信器件及其制备方法-201910546744.6
- 陶涛;智婷;刘斌;谢自力;陈鹏;陈敦军;修向前;赵红;张荣 - 南京大学
- 2019-06-24 - 2019-10-08 - H01L33/20
- 本发明公开了一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，在InGaN外延片上形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜。并公开了其制备方法。本发明利用金属表面等离激元效应提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，经由PVD蒸镀、高温热处理、RIE、ICP技术制备纳米结构，使得二次蒸镀金属共振波长与多量子阱的发光波长相匹配，配合寿命谱测试结果修正金属周期、种类、尺寸、浓度等，最终将等离激元耦合状态下的载流子降低至皮秒量级。本方法可有效提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，是一种工艺相对简单、成本低且可靠性高的方法。
- 一种透明图案化衬底及LED发光元件-201822173490.1
- 李彬彬;霍曜;李瑞评;谢斌晖;陈铭欣;吴福仁 - 福建晶安光电有限公司
- 2018-12-24 - 2019-09-20 - H01L33/20
- 一种透明图案化衬底及LED发光元件，包括一图案化表面，图案化表面包括多个独立的凸起和连续的凹槽，其中多个凸起的至少部分上部由折射率低于蓝宝石的介质构成；非表面侧的多个孔洞，所述多个孔洞中填充有低于蓝宝石折射率的介质。通过多个孔洞与图案化表面凸起非重叠设置，可以提高蓝宝石衬底运用于制作LED芯片时的出光效率。
- 一种防激光切割损伤的LED晶圆-201920038528.6
- 仇美懿;庄家铭 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2019-01-10 - 2019-09-20 - H01L33/20
- 本实用新型公开了一种防激光切割损伤的LED晶圆，包括衬底，多个设置在衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、与第一半导体层连接的第一电极、以及与透明导电层连接的第二电极，位于相邻发光结构间的切割道，所述切割道从透明导电层刻蚀至第一半导体层，位于发光结构边角处的刻蚀区域，所述刻蚀区域的刻蚀深度大于切割道的刻蚀深度，且贯穿第一半导体层。本实用新型对发光结构的边角进行刻蚀，形成贯穿第一半导体层的刻蚀区域，除去切割道交叉处的不必要的氮化镓层，以避免发光结构被烧伤，提高LED芯片的良率。
- 一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片-201910548880.9
- 康凯;杨志伟;陆前军;曾广艺;向炯;王农华;吴先燕;陈志勤;张剑桥;王子荣 - 东莞市中图半导体科技有限公司
- 2019-06-24 - 2019-09-17 - H01L33/20
- 本发明实施例公开了一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片。该图形化复合基底包括：图形化蓝宝石基板，所述图形化蓝宝石基板表面形成有多个蓝宝石台状微结构；位于所述蓝宝石台状微结构上的异质微结构，所述异质微结构覆盖所述蓝宝石台状微结构的至少部分顶面。本发明实施例通过异质微结构覆盖蓝宝石台状微结构的至少部分顶面，一方面避免了外延材料在蓝宝石台状微结构的上表面的生长，抑制外延材料在图形化蓝宝石基底上产生双面竞争生长，另一方面保证了在台状微结构上生长外延材料时，可以释放生长应力，降低了外延生长时产生的缺陷，保证了外延层的质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
- 发光元件及其制造方法-201610255465.0
- 黄琮训;郭志忠;黄靖恩;丁绍滢 - 新世纪光电股份有限公司
- 2016-04-22 - 2019-09-17 - H01L33/20
- 本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一发光单元具有第一侧壁与第二侧壁，第一侧壁与基板之间具有第一夹角，第二侧壁与基板之间具有第二夹角，第一夹角小于第二夹角。一种发光元件的制造方法亦被提出。本发明以保留较多的有效发光面积，增加发光强度并改善芯片效率。
- 用于微米LED显示模组的3D LED晶片及制造方法-201610842610.5
- 严敏;程君;周鸣波 - 环视先进数字显示无锡有限公司
- 2016-09-22 - 2019-09-13 - H01L33/20
- 本发明实施例涉及一种用于微米LED显示模组的3D LED晶片及制造方法，所述3D LED晶片包括：正电极、负电极、LED晶片的P‑N结和衬底；其中，所述衬底为出光面；所述正电极、负电极位于所述LED晶片的P‑N结的同一侧，所述出光面位于所述P‑N结的另一侧；所述出光面的表面为斜面，所述表面的倾斜角为α；4°≤α≤8°。
- 基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构及制备方法-201910417476.8
- 贾伟;张利繁;党随虎;李天保;董海亮;许并社 - 太原理工大学
- 2019-05-20 - 2019-09-06 - H01L33/20
- 基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构及制备方法，属于半导体技术领域，可解决现有技术中荧光粉转换效率、原位沉积掩膜难以准确控制GaN微/纳米阵列尺寸及分布的问题，包括：蓝宝石衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、图形化SiO2掩膜层；和在图形化SiO2掩膜层空隙处的n型GaN六棱台阵列，以及位于六棱台顶面处的量子点、棱上的量子线和在顶面（0001）晶面和六个半极性（10‑11）晶面上的多量子阱层，最后是p型GaN层。所述结构可准确控制GaN微/纳米阵列的尺寸及分布，能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子阱限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题，实现全彩发射。
- 一种LED芯片及其制作方法-201710719615.3
- 刘英策;刘兆;宋彬;李俊贤;吴奇隆 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2017-08-21 - 2019-09-06 - H01L33/20
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
- 一种带有极高垒层插入层的白光LED结构-201910507115.2
- 霍丽艳;滕龙;刘锐森;崔晓慧;林加城;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 - 江西乾照光电有限公司
- 2019-06-12 - 2019-08-27 - H01L33/20
- 本发明提高了一种带有极高垒层插入层的白光LED结构，该带有极高垒层插入层的白光LED结构通过在衬底上生成双波段MQW层，以使所述白光LED结构同时激发蓝光和黄光，蓝光和黄光混合产生白光，并且在蓝光波段MQW层中(阱两侧或一侧)插入极高垒层插入层的结构，可以避免因蓝光发光区能带的问题，导致蓝光光谱不能激发的问题，进而成功生长出发光效率高、稳定性好和色度均匀的白光LED。与现有的白光LED技术相比，本申请不用荧光光粉，这样既可以减少封装的工序，又能减少因荧光粉老化产生的稳定性问题。
- 发光二极管及其制造方法-201410510986.7
- 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 - 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
- 2014-09-29 - 2019-08-27 - H01L33/20
- 一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体和形成在基体上的缓冲层，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体，所述微结构包括多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构之间形成凹槽，所述缓冲层形成在所述凹槽内并覆盖每一阻挡结构，所述阻挡结构的折射率小于缓冲层的折射率。本发明还提供一种该发光二极管的制造方法。
- 显示设备-201910044455.6
- 赵显敏;金大贤;金圣哲;秋惠容;宋根圭 - 三星显示有限公司
- 2019-01-17 - 2019-08-23 - H01L33/20
- 显示设备包括衬底和位于衬底的显示区域中的多个像素。像素中的每个包括第一子像素和第二子像素，并且第一子像素和第二子像素中的每个具有用于发射光的发光区域。第一子像素包括位于发光区域中并且配置为发射可见光的第一发光元件。第二子像素包括位于发光区域中并且配置为发射红外光的第二发光元件以及配置为接收从第二发光元件发射的红外光以检测用户的触摸的光接收元件。第二子像素中的第二发光元件和光接收元件彼此光耦合以形成光耦合器。
- 一种发光二极管芯片及其制造方法-201610910404.3
- 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2016-10-19 - 2019-08-23 - H01L33/20
- 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、电流扩展层、绝缘钝化层，p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在电流扩展层上，发光二极管芯片还包括设置在衬底和n型Ⅲ族氮化物半导体层之间的光提取增强层，光提取增强层包括呈阵列分布的多个曲面结构，曲面结构与衬底一起形成中空结构，衬底、曲面结构、以及中空结构内的物质均是透明的。本发明提高了LED芯片的外量子效率。
- 光电半导体芯片和用于制造该光电半导体芯片的方法-201580053117.9
- C.克伦普 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2015-09-22 - 2019-08-23 - H01L33/20
- 描述一种光电半导体芯片（1），其具有半导体层序列（2）和载体衬底（10），其中半导体层序列（2）具有第一导电类型的第一半导体区域（5）、第二导电类型的第二半导体区域（3）、以及被布置在第一半导体区域（5）与第二半导体区域（3）之间的有源层（4），并且其中第一半导体区域（5）朝向载体衬底（10）。半导体层序列（2）具有：第一凹部（11），所述第一凹部被构造在第一半导体区域（5）中并且不切断有源层（4）；以及第二凹部（12），所述第二凹部至少部分地切断第一半导体区域（5）和有源层（4），其中第二凹部（12）与第一凹部（11）邻接或者被布置在两个第一凹部（11）之间。此外还说明一种用于制造光电半导体芯片（1）的方法。
- 一种垂直结构LED芯片-201920017286.2
- 颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2019-01-03 - 2019-08-20 - H01L33/20
- 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。本实用新型的芯片，翘曲度低，良率和稳定性高。
- 发光设备-201910030962.4
- 林白铉 - 三星显示有限公司
- 2019-01-14 - 2019-08-16 - H01L33/20
- 发光设备包括：衬底；第一电极，位于衬底上；金属构件，位于第一电极上并且具有腔体；第一绝缘层，位于金属构件上并且穿过第一绝缘层来暴露腔体；棒型LED，具有第一端部和第二端部；以及第二电极，位于第一绝缘层上。棒型LED的第一端部位于腔体中并且电连接至第一电极，并且棒型LED的第二端部突出到腔体的外部并且电连接至第二电极。
- LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法-201810088072.4
- 闫建昌;郭亚楠;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2018-01-29 - 2019-08-06 - H01L33/20
- 一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法，所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法，包括：在基本衬底的正面形成保护层，并在所述基本衬底的背面形成掩膜层；将所述掩膜层图形化，形成掩膜图形；刻蚀所述基本衬底的背面，将所述掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，形成图形化结构层；去除残留的所述掩膜层和所述保护层，形成图形化衬底。本发明可在有效提高LED光提取效率的同时，避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤，降低流片工艺复杂程度。
- 一种发光二极管结构-201821561832.0
- 林素慧;许圣贤;沈孟骏;夏章艮;黄禹杰 - 厦门市三安光电科技有限公司
- 2018-09-25 - 2019-07-23 - H01L33/20
- 本实用新型提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一凹凸沟槽结构，其高度为H，第一电极包裹所述凹凸沟槽结构并连接至所述第一半导体层。
- 应用于平行光照明的发光二极管-201710284821.6
- 王文峰;刘一霖;赵江;熊晖;张军 - 湖北大学
- 2017-04-27 - 2019-07-19 - H01L33/20
- 本发明提供了一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层。本发明通过在发光二极管芯片的发光表面的部分区域覆盖抑制光辐射的覆盖层，抑制发光二极管的总辐射通量，使得其他未处理发光表面区域获得极大辐射出射度，该光源将有利于降低平行光发散角，优化平行光的照明设计。
- 发光二极管及其制造方法-201910348846.7
- 吴永胜;林新;林昌江 - 福建兆元光电有限公司
- 2019-04-28 - 2019-07-16 - H01L33/20
- 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管，包括：一基板；一在所述基板上形成的n型半导体层；一在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；一在所述活性层上形成的p型半导体层；一在所述p型半导体层上形成的透明导电层；一p型电极，其在所述透明导电层上形成，与所述p型半导体层电气连接；一n型电极，其在所述n型半导体层上形成，与所述n型半导体层电气连接；一在所述n型半导体层上凸出的台阶结构，以覆盖住所述n型半导体层上与所述活性层对应的部分区域、所述活性层及所述p型半导体层；所述台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面。本发明台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面，这种曲面形状的侧壁可以减小全反射，改善外部光释放效率。
- 一种具有空气孔光子晶体结构的高出光效率二极管-201910151621.2
- 葛道晗;黄修康;张立强;杨宁;丁建宁 - 江苏大学
- 2019-02-28 - 2019-07-05 - H01L33/20
- 本发明提供一种具有空气孔光子晶体结构的高出光效率二极管，包括自下而上依次连接的蓝宝石衬底，缓冲层，N型半导体层，多量子阱层，P型半导体层；所述P型半导体层上设有空气孔光子晶体阵列，所述空气孔光子晶体阵列包括多个空气孔；所述空气孔的深度从P型半导体层的上表面向下延伸至多量子阱层内。本发明所述空气孔光子晶体结构LED的出光效率为38.56％，而普通LED的出光效率为3.26％，本发明空气孔光子晶体结构LED出光效率相对于普通LED大约提高11.8倍左右，而且结构简单。
- 制备氮化镓基纳米环结构的方法-201810498089.7
- 刘喆;冯梁森;张宁;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2018-05-22 - 2019-07-05 - H01L33/20
- 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；进行脱模和等离子体轰击；在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；刻蚀，得到纳米环结构；湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备。
- 一种微发光二极管-201821909220.6
- 韩进龙 - 韩进龙
- 2018-11-20 - 2019-06-28 - H01L33/20
- 本实用新型公开了一种微发光二极管，属于电子元器件领域。针对现有技术中存在的结构复杂、成本高、不适用于利用电场方式转移的问题，本实用新型提供了一种微发光二极管，一种微发光二极管，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在微发光二极管主体的底面，微发光二极管两端呈锥度状，中间大，两端小，第二电极从微发光二极管主体的底面延伸至侧面，第一半导体层和第二半导体层，发光层上部为整体的第一半导体层，发光层下部为第二半导体层。匹配对应的转移基板，可以适应巨量微发光二极管的快速转移，结构简单、成本低、转移效率高、良品率高。
- 一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法-201611209700.7
- 黄华茂;王洪;胡晓龙;杨倬波;文如莲;施伟 - 华南理工大学
- 2016-12-23 - 2019-06-18 - H01L33/20
- 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
- 一种增加发光面积LED芯片结构及制作方法-201610152156.0
- 邬新根;李俊贤;陈亮;陈凯轩;张永;刘英策;周弘毅;魏振东 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2016-03-17 - 2019-06-04 - H01L33/20
- 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
- 光器件晶片的加工方法-201510092333.6
- 深谷幸太;桐原直俊 - 株式会社迪思科
- 2015-03-02 - 2019-05-31 - H01L33/20
- 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其能够提高光的导出效率。本发明的光器件(1)具备基板(21)和在基板的正面形成的发光层(22)。基板具有：四边形的正面(21a)；与正面平行且形状相同的四边形的背面(21b)；以及连结正面和背面的4个侧面(21c)。在各侧面上沿着基板的正面的边的延伸方向并排地形成有向外侧突起的多个凸部(26)。在各凸部处沿基板的厚度方向交替地形成有凹凸。
- 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法-201710573839.8
- 李波;杨凯;徐洲;张双翔;石峰 - 扬州乾照光电有限公司
- 2017-07-14 - 2019-05-24 - H01L33/20
- 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层，在部分粗化层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置正电极；特点是述粗化层设置有若干沟槽，在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面。本发明通过在粗化层设置沟槽，并在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面，大大提高了粗化层的粗化面积，使外量子效应得以大幅提高，而且粗化层蚀刻出的沟槽不影响电流的横向扩展，故而实现了提高光提取率的目的。
- 专利分类
