[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910556232.8 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634882A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郑在景;宋润洽;崔畅桓;薛玹珠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上的栅极图案和层间绝缘膜；绝缘柱，在堆叠结构内沿基底的厚度方向延伸；多晶金属氧化物膜，在绝缘柱与堆叠结构之间沿绝缘柱的侧壁延伸；具有过渡金属的衬膜，在绝缘柱与多晶金属氧化物膜之间；以及隧道绝缘膜、电荷存储膜和阻挡绝缘膜，按次序设置在多晶金属氧化物膜与栅极图案之间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘柱 多晶金属氧化物 半导体装置 堆叠结构 基底 栅极图案 层间绝缘膜 电荷存储膜 隧道绝缘膜 阻挡绝缘膜 侧壁延伸 次序设置 过渡金属 衬膜 堆叠 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n基底；/n堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上的栅极图案和层间绝缘膜；/n绝缘柱，在堆叠结构内沿基底的厚度方向延伸；/n多晶金属氧化物膜，在绝缘柱与堆叠结构之间沿绝缘柱的侧壁延伸；/n具有过渡金属的衬膜，在绝缘柱与多晶金属氧化物膜之间；以及/n隧道绝缘膜、电荷存储膜和阻挡绝缘膜，按次序设置在多晶金属氧化物膜与栅极图案之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
