[发明专利]功能材料定位生长方法在审
| 申请号： | 201910560463.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110294455A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 巫金波;杜辉刚;温维佳;张萌颖;薛厂 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/16;G03F7/26;G03F7/30 |
| 代理公司： | 石家庄旭昌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 13126 | 代理人： | 张会强 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功能材料定位生长方法，该方法包括在基底表面制备疏液区域，并于疏液区域内制备多个规则排布的亲液区域而于所述基底表面形成图案化的亲疏液阵列；在所述亲疏液阵列中的各所述亲液区域填充包含有功能材料的溶液，于所述基底表面形成表面液滴阵列；以及使所述表面液滴阵列中各所述亲液区域内的溶液进行蒸发，于所述基底表面形成所述功能材料的单晶阵列。本发明所述的定位生长方法通过在基底表面制备亲疏液阵列，利用基底表面亲疏液阵列的表面润湿性的差异，可实现液体的选择性润湿，进而能够高通量的制备不同溶液、不同尺寸、不同基底的包含功能材料的液滴阵列，由此可实现功能材料在基底表面的定位生长。 | ||
| 搜索关键词： | 基底表面 功能材料 定位生长 制备 亲液 疏液区域 表面液 润湿 表面润湿性 规则排布 区域填充 液滴阵列 高通量 图案化 单晶 基底 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种功能材料定位生长方法，其特征在于该方法包括如下的步骤：步骤a、在基底表面制备疏液区域，并于疏液区域内制备多个规则排布的亲液区域而于所述基底表面形成图案化的亲疏液阵列；步骤b、在所述亲疏液阵列中的各所述亲液区域填充包含有功能材料的溶液，于所述基底表面形成表面液滴阵列；步骤c、使所述表面液滴阵列中各所述亲液区域内的溶液进行蒸发，于所述基底表面形成所述功能材料的单晶阵列。
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